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微带线的电流计算方式 在微带线某一位置 的截面上，沿着金属带线表面对磁场做环积分 等效电压则有两种运算方式，一种是直接在微带线中间的下方对电场做线积分，另一种则是对整个微带线下方的电场线积分做平均计算。 微带线的电压计算方式 特性阻抗可由入射电压与入射电流的比值求得，但因为采用交错晶格与蛙跳式时间的时域有限差分法，对公式进行了修正 S参数的计算 散射参数对于描述微波和毫米波电路来说是非常重要的参数。 S参数的计算 Unsplit_PML与mur边界的比较 、、、 应用举例：低通滤波器 Unsplit_PML与mur边界的比较 、、、 Mur 边界与PML 边界低通滤波器S11 比较图 Unsplit_PML与mur边界的比较 Mur 边界与PML 边界低通滤波器S21 比较图 * asdfasdf 令 这样和我们上一节提到的公式是一样的 ，只是D变成了E。 1.2 一维有耗媒质的FDTD算法 对于有耗媒质 ,我们可表示为下式 从傅立叶变换理论，我们知道频域1/jω是时域的积分， 由于我们是对频域的采样，上式变为 1.2 一维有耗媒质的FDTD算法 2.4代入2.3b ，我们分离电场,得到公式 E n是当前的电压值和当前的D值和以前E的和 我们令 公式2.8可简化为 1.2 一维有耗媒质的FDTD算法 现在,FDTD公式可以表示为: dx[k]=dx[k]+0.5*(hy[k-1]-hy[k]) ex[k]=gax[k] *(dx[k]-ix[k]) ix[k]=ix[k]+gbx[k]*ex[k] hy[k]=hy[k]+0.5*(ex[k]-ex[k+1]) 其中,gax[k]=1/(epsilon+(sigma*dt/epsz)) gbx[k]=sigma*dt/epsz 所有记录媒质信息都包含在公式2.9b,2.9c中.对于自由空间,gax=1 和gbx=0；对于有耗媒质，gax和gbx由公式2.10计算。公式2.9a和2.9d，其中包含空间差分，并不随媒质而改变。 1.2 一维有耗媒质的FDTD算法 我们可以避免在时间域上处理棘手的卷积积分, 我们可以利用Z变换, 1.3 利用Z变换公式 1.3 二维Maxwell方程的FDTD算法 (1) 对于二维仿真，可以用TE和TM波表示。对于TM波 对于二维仿真，可以用TE和TM波表示。对于TM波，公式2.3可以简化为下式 ，其中 1.3 二维Maxwell方程的FDTD算法 (1) 我们可以得到公式： dz(i,j)=dz(i,j)+0.5*(hy(i,j)-hy(i-1,j) -hx(i,j)+hx(i,j-1)); ez(i,j)=gaz(i,j)*(dz(i,j)-iz(i,j)); iz (i,j)=iz(i,j)+gbz(i,j)*ez(I,j) hx(i,j)= hx(i,j)+0.5*( ez(i,j)-ez(i,j+1)); hy(i,j)= hy(i,j)+0.5*( ez(i+1,j)-ez(i,j)); 和 与一维的简单的有损介质表达方式是一样的 1.3 二维Maxwell方程的FDTD算法 基本理论：如果一束在媒质A中的波，接触的媒质B，反射系数的大小通过两种媒质的阻抗描述 通常我们假设磁导率为常数，所以，当波照射从 到 时将会产生反射。但当 随介电常数改变时， 将保持为常数， 为零，没有反射发生。但这并不能解决我们的问题，进入媒质的波会继续传播。这就需要一种有耗媒质，波在到达边界之前，在这种媒质中很快衰减。我们可以通过设置磁导率和介电常数为复数，因为虚数部分代表着衰减。 1.4 PML吸收边界 （1） 1.4 PML吸收边界 （2） 我们把公式3.1转化为复数形式的麦克斯韦方程 对于3.3 式，我们引入有耗媒质，其介电常数和磁导 率定义为 ? （1） 只与电位移D有关，与E无关； （2）我们在PML中增加的有耗媒质与真实的介电 常数没有关系。 1.4 PML吸收边界 （3） (引入的有耗媒质只对吸收边界起作用） 1.4.1 实现PML的两个基本条件 (1) Sack提出的构造PML的两个基本条件 1、对于PML来说，媒质1的阻抗应该是一常数， 阻抗为1是归一化 2、垂直边界的方向，介电常数和相对磁导率的值必须是相反的 我们假设介电常数和相对磁导率复数形式为： 下面的公式满足3.7式，其中 引入的参数 1.4.1 实现PML的两个基本条件 (2) 我们把3.9代入3.6 满足第一个条件。如果 值随着进入PML区而逐渐增大，那么电场和磁场将逐渐衰减。 如果我们只在X方向应用PML，公式可以简化只有X方向