Intel 3D Crosspoint(XPoint)Memory关键技术点及意义.pptxVIP

Intel 3D Crosspoint（XPoint）Memory关键技术点及意义张贵福 学号：位：中物院研究生院报告提纲Intel发布的RRAMRRAM简介RRAM材料及机理关键技术点猜测与展望小结（意义）参考文献附图Intel发布的RRAM 由横竖交叉的位线(BL)、字线(WL)、选择门(selector)、记忆单元(memory cell)等组成工作原理：通过纵横的字线位线之间的电阻值作为01二进制信息，绿色块的电阻(memory cell)用来储存信息;灰色块 (selector)可以控制改变绿色块电阻，选择读或写。核心问题并没有公布：Selector的工作原理和制作材料MemoryCell 的工作原理和制作材料3DXpoint的基本特点RRAM简介RRAM存储单元其他已有的存储单元RRAM--Resistive Random Access Memory 阻变随机存储器 无源1D1R（1S1R） 有源1T1R 单极型 双极型单独地线cc:限流浮栅隧穿来自讲义R基本结构RRAM简介主要器件参数1. 写（Write）操作参数Vwr，twr Vwr为写入电压。一般在几百mV至几V之间；twr为写入数据时间。传统器件中，DRAM、SRAM和Flash的twr分别为100ns、10ns和10us数量级。为了与传统器件相比显示出优势，RRAM的twr期望可以达到100ns数量级甚至更小。2. 读（Read）操作参数Vrd，Ird，trd Vrd为读取电压。一般Vrd值要明显小于Vwr，而由于器件原理限制，Vrd亦不能低于Vwr的1/10。Ird为读操作所需电流。一般不能低于1uA。trd为读操作时间，与twr同等数量级甚至更小。3. 开关电阻比值 ROFF/RON ROFF和RON分别为器件处于关态与开态时的元件阻值。尽管在MRAM中，大小仅为1.2~1.3的ROFF/RON亦可以被应用，对RRAM的ROFF/RON一般要求至少达到10以上，以减小外围放大器的负担，简化放大电路。4. 器件寿命 指器件能够正常维持工作状态的周期数目。一般，NVM器件的工作寿命希望达到1012周期。5. 保持时间tret保存数据信息的时间。一般需要保持10年甚至更久。 RRAM的几个主要性能参数之间，存在制约的关系，如Vrd与Vwr的比值受到tret和trd限制。故而寻求高密度、低功耗的理想RRAM器件，需要从各个性能参数的角度共同考虑，寻求最佳的平衡点。RRAM简介比较RRAM材料和机理阻变材料及机理供选材料摘自博士论文《新型阻变存储器材料及其电阻转变机理研究_陈超》RRAM阻变材料主要关心的导电类型（目前物理意义明确）单极型材料：金属导电细丝熔断/ 连接——ECM双极型材料：氧空位致导电细丝通断——VCM（局域效应类）摘自： R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, et. al, Redox-based resistive switching memories—— nanoionic mechanisms, prospects, and challenges, Adv. Mater., 2009, 21, 2632-2663最新机理文章”Thermometry of Filamentary RRAM Devices”IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 62, NO. 9, SEPTEMBER 2015. 以HfOx为研究对象单纯电阻构成的crossbar结构，存在大量的窜扰。根据材料不同形成了几种结构：1T1R 、1D1R、1S1R、1R单极型材料1D1R一般的双极型材料1S1R双极型材料具备自整流1R原子总向一个方向移动?SelectorRRAM材料和机理Selector供选材料阈值转变特性（TS）材料——一种非线性电阻VOx、NbQx、TiOx、TaOx等；正负偏压下电流对称， 交叉阵列中常用的1/2VRead电压读法《Co-Occurrence of Threshold Switching and Memory Switching in Pt/NbCVPt Cells for Crosspoint Memory Applications[J]》 Electron Device Letters, IEEE. 2012，33(2): 236-238 导电类型：蒲尔-弗朗克效应，反应时间慢！导电类型：未知，反应时间未知制作在硅外延层上，估计不适合crossbar结构不对称的情况（Si加氧化物）〈Epitaxial