MOSFET版图设计.ppt

MOSFET匹配 共质心版图 共质心版图 MOSFET匹配 共质心版图 MOSFET匹配 共质心版图 AABB..,前后颠倒 MOSFET匹配 共质心版图 MOSFET匹配 共质心版图 MOSFET匹配 共质心版图 本章重点 1、CMOS反相器版图及剖面图 2、两输入与非门（或非门）版图 3、宽沟道器件叉指结构版图画法 4、版图设计中背栅接触孔的作用及各种结构的背栅接触 5、电路设计中如何减小失调电压或失调电流 6、共质心结构进行匹配MOSFET的布局（电流镜和差分对） * 实际晶体管中的长度等于源漏扩散区之间的距离，自对准晶体管版图绘制的长度L等于版图数据中跨过多晶硅栅从源区到漏区的距离。实际工艺中由于过度刻蚀、刻蚀不足、交错、横向扩散等原因，实际制作出来的晶体管的有效长度Leff比绘制的长度略大或略小一些。 版图设计中硅栅的两端必须超过源漏边界，防止源漏短路，因而实际自对准工艺中晶体管的宽度是由有源区而不是多晶硅栅掩膜决定的。由于交错、横向扩散、鸟嘴效应的影响，制作的晶体管的有效宽度Weff和版图画的W有一定偏差。 MOSFET版图样式 背栅接触 MOSFET版图样式 Power MOS 叉指结构 MOSFET版图样式 Power MOS 曲栅式Power MOS MOSFET版图样式 Power MOS Waffle式Power MOS 本章主要内容 MOSFET版图基础 MOSFET版图样式 MOSFET的匹配 CH4 MOSFET匹配 各种模拟电路都会用到匹配MOS管，有些电路主要利用栅源电压的匹配，而有些电路需要用到漏极电流的匹配。 MOSFET匹配 在电路设计中优化电压匹配所需的偏置条件与优化电流匹配所需的偏置条件不同，可以优化MOSFET的电压匹配或电流匹配，但不能同时优化两者。 （推导可详见P538） MOSFET匹配 减小失调电压的方法： ①增大晶体管的尺寸（增大工艺跨导）有利于减小电压失配。 ②减小过驱动电压有利于减小电压失配。但是注意过驱动电压小于一定值（如0.1V）对改善电压匹配无关。 ③设计合理匹配的MOS版图，减小阈值失配和MOSFET尺寸失配。 MOSFET匹配 依靠电流匹配工作的MOSFET 减小电流失调的方法 ①增大过驱动电压，减小阈值失配带来的影响 ②合理设计版图减小MOSFET的尺寸失配和阈值失配 MOSFET匹配 几何效应 MOS晶体管的尺寸、形状和方向会影响它们之间的互相匹配。 1.阈值电压失配大小与有源区栅面积的平方根成反比，栅面积的增大有助于减小局部不规则影响，因而大尺寸晶体管比小尺寸晶体管能够更加精确匹配。 2.工艺尺寸的缩小改善了阈值电压的失配，氧化层越薄，工艺跨导越大，使得阈值电压失配越小，如此间接改善了MOSFET的电压匹配。所以薄栅氧的晶体管的匹配程度优于厚栅氧的晶体管。但是在电压工作范围较大的情况下，注意薄氧化层晶体管容易受沟道长度调制效应的影响。 MOSFET匹配 几何效应 3.工作在不同栅源电压下的短沟道晶体管，沟道长度调制效应会引起严重的失配。晶体管的习题失配与其源漏电压差成正比，与沟道长度成反比。在匹配精度要求不是很高的电流分配网络，可以使用长沟道器件来减小沟道长度调制效应。在高精度情况下，可以让匹配晶体管工作在相同源漏电压下，加入级联减小沟道长度调制效应影响。 4.方向一致性 MOSFET的工艺跨导取决于载流子的迁移率，所以沿着不同晶轴的MOS在应力下表现不同的跨导，为了避免由应力产生的失配，晶体管的取向应该一致 MOSFET匹配 几何效应 MOSFET匹配 扩散和刻蚀效应 MOSFET匹配 扩散和刻蚀效应 横向扩散 MOSFET匹配 扩散和刻蚀效应 在工艺中刻蚀速率并不是总是一致的，当开孔越大时，刻蚀速率越快，该效应可能造成刻蚀过度。如图所示的M1M2M3管因为外边缘刻蚀的缘故，M1和M3的外边缘刻蚀比M2对应的边缘刻蚀更为严重，所以M1和M3的栅长比M2的稍微短一点。 MOSFET匹配 扩散和刻蚀效应 Dummy Dummy 使用虚拟器件（Dummy）防止多晶硅栅过度刻蚀 MOSFET匹配 扩散和刻蚀效应 Dummy管栅电极与邻近的栅电极相连，但是这样会使端电容和漏电流增大。 MOSFET匹配 扩散和刻蚀效应 Dummy管栅极与晶体管源极（背栅电位）相连，有助于保证晶体管的电学特性不受Dummy管下边伪沟道的影响。 MOSFET匹配 扩散和刻蚀效应 将多晶硅栅连接起来，形成梳状结构，便于布图，但是由于临近区域存在多晶图形，容易影响刻蚀速率，为了达到最佳的匹配效果，应该使用金属连线连接简单的矩形多晶硅条。