中科院 微波工程基础第五章.ppt

第五章 谐振腔 §5.5 介质谐振腔 矩形介质谐振腔 在z=0的切向场连续，Ex1=Ex3, Hy1=Hy3 于是有 (5.25) （非全反射边界） 第五章 谐振腔 §5.5 介质谐振腔 矩形介质谐振腔 TEmn(s+?)模的最低次模是 TE11?.m,n都不能为零,否则所有场分量为零.同理,我们可以求得TM模类似的场表达式和相同的谐振频率公式. TMmn(s+?)模的最低次模是 TM11?.m,n不能同时为零 (5.26) 第五章 谐振腔 §5.5 介质谐振腔 截止波导—截止径向线法的思路 介质谐振器内, x, y, z都呈驻波场 |z|?l/2, x?a, y?b, ?x, ?y方向为驻波场, ?z方向为消失场 |z|?l/2, xa, yb, ?x, ?y方向为消失场,?z方向为驻波场 |z|?l/2, xa, yb, ?x, ?y和?z方向为消失场 介质谐振腔截止波导-截止径向线模型 问题 1.用矩形波导的TE10模在圆柱腔中激起TE011模,并抑制TM111模.从场的特点描述激励和抑制的物理过程. 2.基于“磁壁波导模型法”求解圆柱介质谐振腔中的场解,并将其与圆柱金属谐振腔中场解进行比较,找出它们的共性和差别. 第五章 谐振腔 §5.6 腔体微扰与谐振频率的变化 当谐振腔的腔壁有微小的变化，或填充的介质有微小的变化时，谐振频率将发生微小的变化，微扰法可估算出频率的这种微小变化。 设谐振腔原来体积为V0，受微扰后腔的体积为V 腔壁的微扰可分成内向微扰和外向微扰。内向微扰时V0=V +?V，外向微扰时V0 = V-?V 第五章 谐振腔 §5.6 腔体微扰与谐振频率的变化 假设腔中原有场为 和 ，原有的谐振频率为?0 ，受到微扰后场为 和 ，谐振频率为?,它们分别满足方程 (5.27) (5.28) (5.29) (5.30) 第五章 谐振腔 §5.6 腔体微扰与谐振频率的变化 用 去点乘式无微扰电场旋度（5.27）的共轭式，用 去点乘式（5.30），然后相减，得 (5.31) 用 去点乘式微扰后电场旋度（5.29）式，用 去点乘式（5.28）的共轭式，然后相减，得 (5.32) 将（5.31）和（5.32）相加得 (5.33) (5.34) 第五章 谐振腔 §5.6 腔体微扰与谐振频率的变化 先讨论内向微扰：对体积V0积分，则等式左边由体积分转化为面积分后，第一项等于零(E0=0)；第二项面积分分成两部分，第一部分对V积分，第二部分对?V积分为（V0=V +?V） 上式右边第一项等于零，用 和 代替 和 于是有 第五章 谐振腔 §5.6 腔体微扰与谐振频率的变化 对(5.34)的左端,在体积?V中无源且无耗, 利用坡印亭定理得 ?Wm, ?We 是按未微扰场 和 计算的?V内的磁场和电场储能. 另一方面, 对(5.34)的右端有 W0是V0中电磁场的总储能 第五章 谐振腔 §5.6 腔体微扰与谐振频率的变化 (5.35) 对于外向扰动的情况， (5.36) 对于内向微扰, 当腔壁的变化发生在强磁场弱电场区域, ?Wm?We , ?-?00, 腔体谐振频率将升高;若发生在强电场弱磁场区域, ?We ?Wm, ?-?00, 腔体谐振频率将降低. 对于外向微扰其结论相反. (内向微扰) 第五章 谐振腔 §5.6 腔体微扰与谐振频率的变化 圆柱腔中存在模式 ，若将其上底和下底的中央部分做成具有弹性的壁，在机械压力下向腔内或腔外有一微小变形，就可以改变它的谐振频率。当腔壁向外扩张时，微扰发生在强电场和弱磁场区域，谐振频率将升高；当腔壁向内收缩时，谐振频率将下降。但若腔的上下底整个地向内或外变化，其谐振频率将不变。 。 第五章 谐振腔 §5.6 腔体微扰与谐振频率的变化 当波导的横截面发生变化时，必定引起 fc 的变化。例如矩形波导的四个角并非直角，而是圆弧形状，这是内向微扰，且发生在强磁场弱电场区域，因而相应的波的临界频率 fc 升高，kc 升高。矩形波导中加脊是发生在TE10波的强电场弱磁场区域的内向微扰，相应的波的临界 fc频率降低。但对于TE20波，这一内向微扰在它的强磁场弱电场区域，因而相应TE20波的临界频率 fc 升高，可见这种加脊波导展宽了波的单模工作频带。 中国科学院电子学研究所 Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences 第五章 谐振腔 主要参考书： 1. 李宗谦，佘京兆，高葆新，《微波工程基础》，清华大学出版社，2004 2. 顾茂章，张克潜，《微波技术》，清华大学出版社，1989 3.