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集成电路制造技术 Manufacturing Technology of IC School of Microelectronics Xidian University 2013.10 第五章 物理气相淀积 PVD：physical vapor deposition 淀积特点：物理过程； 定义：利用某种物理过程如蒸发或溅射方法实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上，淀积成薄膜。 技术： ① 蒸发(Evaporation)：早期制备金属薄膜 ② 溅射(Sputter)：已取代蒸发 ③分子束外延(Molecular Beam Epitaxy MBE)| 蒸发法：通过被蒸镀物质(如铝)加热，利用被蒸镀物质在高温下(接近物质熔点)的饱和蒸气压，进行薄膜沉积； 溅射法：高真空中将氩离子加速撞击溅镀靶材，将靶材原子溅击出来，被溅击出的材质(铝、钛或其合金)粒子沉积到硅表面形成薄膜。 IC中金属或合金材料通过蒸镀或溅射方法制造。淀积铝称金属化工艺，真空中进行。硅片表面形成一层铝膜。 真空蒸发法 优点：较高淀积速率，较高薄膜质量(系统真空度高) 缺点：台阶覆盖能力差，淀积多元薄膜时组份难控制 溅射法 优点：淀积多元薄膜时组份易控制，淀积薄膜与衬底附着性好 溅射法很大程度已取代真空蒸发法，真空蒸发法在科研和III-V族化合物半导体工艺中被采用。 5.1 真空蒸发的基本原理 材料的三态：solid，liquid，gas； 蒸气：任何温度下，材料表面都存在自身的气体； 蒸气压：平衡时的饱和蒸气压； 升华：低于熔化温度时，产生蒸气的过程； 蒸发：熔化时，产生蒸气的过程； 定义：利用蒸发材料熔化产生的蒸气进行薄膜淀积； 优点：设备简单,淀积速率快,高薄膜质量(系统真空度高) 缺点：台阶覆盖差，多元化合物薄膜组分难控制。 真空蒸发法 分类 －热蒸发：通过加热蒸发源使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸汽流入射到衬底表面，凝结形成固态薄膜； (对于熔点不是很高，易熔化的材料) －电子束蒸发：利用定向高能电子束照射蒸发源使其获得高温，从而蒸发获得固态薄膜。 (对于高熔点难熔材料) 衬底为低温，蒸发源为高温 电子束蒸发台 5.1.1 真空蒸发设备 ①真空系统 ②蒸发系统 ③基板及加热系统 蒸发淀积过程 ①加热蒸发：加热蒸发源(固态)，产生蒸气； ②输运：气化的原子、分子扩散到基片表面； ③淀积：气化的原子、分子在表面 凝聚、成核、成长、成膜； 真空度与分子平均自由程 分子平均自由程：粒子两次碰撞之间飞行的平均距离。 d：气体分子直径，P：压强。 真空常用数据 蒸发工艺流程（蒸铝膜） （a）挂铝丝（99.99%纯度），将硅片置于衬底加热器上，转动活动挡板，使之位于蒸发源与硅片之间，盖好钟罩。 （b）抽真空：开动机械泵，打开低真空阀，待真空度高于1.3Pa 后，关低真空阀，开高真空阀，转到用扩散泵抽高真空。 （c）硅片加热：当真空度抽到 6.7?10-3 Pa 后，开始加温，使衬底温度升到约400℃ ，恒温数分钟以除去硅片表面吸附污物，然后降温。 （d）蒸发：衬底温度降至150℃且真空度达到 6.7?10-3 Pa 以上，逐步加热蒸发源使之熔化后附在钨丝上，先使铝中高蒸汽压杂质挥发掉(提高铝的纯度)，然后迅速增大加热电流到一定值，打开挡板，使铝蒸发到硅片上。蒸发完毕转回挡板，并停止蒸发源加热。 （e）取片：待硅片温度降至150℃以下，关闭高真空阀，关闭扩散泵电源，对真空室放气，打开钟罩，取出硅片。 5.1.5 多组分蒸发 如，合金蒸发 方法：(按蒸发源分类) ①单源蒸发：具有薄膜组分比例的单一合金靶； 靶源的要求：各组分蒸汽压接近； ②多源同时蒸发：多种靶源，不同温度，同时蒸发； ③多源顺序蒸发：多种靶源，不同温度，顺序蒸发， 最后高温退火； 工艺关键：根据薄膜组分控制各层厚度； 5.1.5 多组分蒸发 5.2 蒸发源 (按加热方式分类) ①电阻加热源 ②电子束加热源 ③高频感应加热源 ④激光加热源 5.2.1 电阻加热源 直接加热源：加热体与蒸发源的载体是同一物体； 加热体-W、Mo、石墨。 间接加热源：坩埚盛放蒸发源； 坩埚-高温陶瓷、石墨。 对加热材料的要求：不产生污染 ①熔点高：高于蒸发源的蒸发温度； ②饱和蒸汽压低：低于蒸发源； ③化学性能稳定：不发生化学反应，不形成合金。 优点：工艺简单，蒸发