垂直电镀板边.pptVIP

1.現象描述(Current Status) 2.分析(Cause Analysis) /2-1.粗糙理論 2.分析(Cause Analysis) / 2-2.哈氏槽Test 2.分析(Cause Analysis) / 2-2.哈氏槽Test 2.分析(Cause Analysis) /2-3.電流分佈實際量測 2.分析(Cause Analysis) /2-3.電流分佈實際量測 2.分析(Cause Analysis) / 2-5.導電機構實驗Design 2.分析(Cause Analysis) / 2-5.導電機構實驗Design 2.分析(Cause Analysis) / 2-5.導電機構實驗Design 3.對策(Action)/3-2.未來導電機構Design 3.對策(Action)/3-2.未來導電機構Design 附件一/整流器Ripple值量測 附件一/整流器Ripple值量測 附件一/整流器Ripple值量測 附件一/整流器Ripple值量測 附件一/整流器Ripple值量測 附件二/板邊切片預測電流密度 附件三/哈氏槽測試 附件四/ 板邊厚度 成型區內厚度 ※由厚度預估板邊電流密度為成型區內1.85~2.1倍 板邊光澤無粗糙 * CT廠FC-PGAII(L2/L5)目前流程 垂直PTH→垂直連續電鍍線(1)→塞孔→刷磨→Cu(I)→垂直連續電鍍線(2) 28ASF(板邊粗糙) 16.4ASF(板邊光亮) 2.分析(Cause Analysis) /2-1.粗糙理論 2-1.粗糙理論 金屬離子向陰極的輸送機構有三： 1.受電場影響而游動至擴散層 (V=0.00029cm/sec/v) 2.受擴散作用至電雙層 3.受電場吸引至陰極表面 --------------------------------擴散速率 --------------------------------工作電流 ---------------------------------極限電流 --濃度過電壓 2.分析(Cause Analysis) /2-1.粗糙理論 機構I： Cu離子吸附到金屬表面形成晶核 機構II：Cu離子直接移動到金屬表面的結晶生長點 機構III：Cu離子吸附到金屬表面並擴散到結晶生長點 2-1.粗糙理論 I III II ※晶核形成的數量不足是形成板面粗糙的原因 I III II 影響晶核形成因素 1.電雙層電極還原速度過快 2.電雙層Cu+2補充不足 添加劑吸附於電極表面形成阻力(降低電極還原速度) 2H++2e-→H2 Cu2++2e-→Cu 電流加大 電極Cu+2還原數量增多 大於離子傳輸速度 進行機構II反應 (機構I減少) C.D=I(27.7- 48.7Log L) C.D：電流密度(A/dm2) I：電流(A) L：陰極距離(cm) 11mm 11mm 22mm 哈氏試片測試結果(黑須線) I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 I8 I9 I10 I11 I12 電流分佈不均 I1 ≠ I2 ≠ I3 ≠ I4 ≠ I5 ≠ I6 ≠ I7 ≠ I8 ≠ I9 ≠ I10 ≠ I11 ≠ I12 使用勾錶進行電流實際量測(1)全線停止量測----靜態 (2)定點量測不同Hanger----動態(3)量測一根Hanger電流變化----動態 2.分析(Cause Analysis) /2-3.電流分佈實際量測 (1)電流實際量測------靜態 掛架(No.29)，設定電流28ASF，每支Hanger每邊通入67A。 ? 1 2 3 4 5 6 第一槽 85A 95A 100A 124A 41A ? 第二槽 55~70A 75A 80A 39A 第三槽 65A 73A 55A 78A 76A 60A 第四槽 70A 70~80A 66A 78~90A 73A 28~50A 第五槽 61A 42A 28~19A 64A 48~55A 30~44A 第六槽 51~45A 70A 40~65A 50~70A 0A 第七槽 55~65A 43~63A 75A 81A 37A 第八槽 52~60A 38~42A 38~40A 27~24A 28~27A ※量測單邊Hanger所通入的電流 Curre