半导体器件——第四章.ppt

半导体器件 第四章 场效应晶体管 4.2 绝缘栅型场效应晶体管 第四章 重点 4、氧化层及界面电荷对MOSFET阈值电压的影响 氧化层及界面电荷的存在会使半导体表面产生电场，能带发生弯曲，偏离理想情况。需要施加平带电压，恢复成能带无弯曲的情况。这种情况下，平带电压的大小与绝缘层中电荷数相关。 影响MOSFET阈值电压的因素主要有： 1、半导体衬底性质——掺杂浓度NA、本征载流子浓度ni； 综上MOSFET阈值电压的表达式： 2、绝缘层电容大小——绝缘层介电常数、厚度、面积； 3、金属半导体的功函数差； 4、绝缘层中电荷数量。 5、MOSFET的分类 n沟道、p沟道——导电沟道类型 增强型、耗尽型——栅压为0时，源漏是否导通 4.2.4 MOSFET的电流-电压关系 栅宽 栅长 载流子的迁移率 绝缘层电容 非饱和区： 饱和区： 进入饱和区后，电流 几乎不再受源漏电压的 影响，在VGS一定值时， 漏极电流保持恒定。 该电流值等于B点的电 流值.B点对应的源漏电压 即为源漏饱和电压： 源漏饱和电压 饱和区： 输出特性曲线上，VDS=VGS-VT的曲线为临界饱和线。 非饱和区： 饱和区： 跨导 跨导的大小反应栅压对漏极电流的控制能力。跨导越大，控制 能力越强。 4.2.6 MOSFET的击穿 1、栅介质的可靠性与栅介质的击穿 当栅压过大时，栅介质会发生击穿。若栅介质发生击穿，半导体表面的载流子会发生泄露，导电沟道消失。 （a）三角形势垒遂穿 （b）直接遂穿 在大电场或大电流的作用下，栅介质中缺陷密度增加，形成导电通道，栅介质完全击穿。 2、源漏击穿 随着源漏电压的增大，导电沟道出现夹断。电压继续增大，耗尽区的电场增强，引起雪崩击穿，ID急剧增大。 在曲率半径大的区域，电场最强，该区域最容易发生雪崩击穿。 4.2.10 MOSFET的等比例缩小 1/α 阈值电压 α2 电路密度 1/α2 单位电路的功耗 1/α 电路延迟时间（τ=RC） 1/α 耗尽层电容 电路参数按比例缩小的衍生结果 1/α 结深xj α 掺杂浓度NA、ND 1/α 栅宽W、绝缘层厚度tox 1/α 栅长L 器件参数按比例缩小的衍生结果 乘积因子 MOSFET 器件与电路参数 1、理想MOS管的能带结构 平衡态 非平衡态——外加电压 能够根据非平衡态时能带结构，判 断出半导体表面的状态：积累、耗 尽、反型（弱反型、临界强反型） 2、表面势 理解表面势的含义： 表征能带弯曲程度 结合能带图，分析表面势不同取值时，能带弯曲的情况， 进而判断MOS管半导体表面状态。 3、MOSFET的工作原理 转移特性 增强型 n沟道 MOSFET 1、为什么栅极电压要达到一定 值时，源漏才有电流流过？ 2、源漏开始导通时，MOS结构 中半导体表面处于哪种状态？ 输出特性 源漏饱和电压VDsat 漏端沟道夹断 转移特性 4、MOSFET的阈值电压 阈值电压 影响阈值电压的因素： * * 场效应晶体管 栅极采用PN结结构 栅极采用MOS结构 ——结型场效应晶体管 ——绝缘栅型场效应晶体管 4.2.1 理想MOS结构 金属—氧化物—半导体结构，构成MOS管。MOS结构是绝缘栅型场效应晶体 管开关控制的核心部分。金属层引出的电极称为栅极，栅电压的正负是相对硅衬 底电压而言的。 理想MOS管平衡态的能带图 1、 理想MOS结构的特征 (1)零偏条件下，金属与 半导体的功函数差为0，即 功函数：费米能级与真空能级之间的能量差 理想情况下，平衡态时MOS结构的能带图没有发生弯曲。 金属的功函数表示为电子由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。 功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱，功函数越大，电子越不容易离开金属。 （2）在任何直流偏置下，绝缘层内无电荷且绝缘层，完全 不导电。 （3）绝缘层与半导体界面不存在任何界面态。 2、 理想MOS结构在非平衡态时的能带图 VG 0时，理想MOS管的能带图 VG 0时，金属费米能级 相对于半导体费米能级 上移qVG。 — 界面两侧费米能级不再 统一，费米能级的差值 会引起界面处能带发生 弯曲。能带弯曲的方向 与费米能级变化的方向 相同。 在半导体与氧化物的界面 处（即，能带发生弯曲的 区域），费米能级更靠近 价带，意味着该区域空穴 浓度更高。 界面处出现了多数载流子的积累。 从MOS管电容理论，理解多数载流子的积累 将MOS结构看成平板电容，负的栅压会将半导体表面的电子推向体内，同时把半导体体内的空穴吸引到表面区域，p型硅衬底表面（硅衬底与绝缘层界面处）的空穴浓度高于体内，出现载流子的积累。 VG 0时，理想MOS管的能带图 VG 0时，金属费米能级 相对于半导体费米能级