复旦集成电路工艺课件-11.ppt

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 总阻止本领（Total stopping power） 核阻止本领在低能量下起主要作用（注入分布的尾端） 电子阻止本领在高能量下起主要作用 离子注入的沟道效应 沟道效应（Channeling effect） 当离子沿晶轴方向注入时，大部分离子将沿沟道运动，几乎不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远。 浓度分布 由于沟道效应的存在，在晶体中注入将偏离LSS理论在非晶体中的高斯分布，浓度分布中出现一个相当长的“尾巴” 减少沟道效应的措施 对大的离子，沿沟道轴向(110)偏离7－10o 用Si，Ge，F，Ar等离子注入使表面预非晶化，形成非晶层（Pre-amorphization） 增加注入剂量（晶格损失增加，非晶层形成，沟道离子减少） 表面用SiO2层掩膜 损伤的产生 移位原子：因碰撞而离开晶格位置的原子。 移位阈能Ed：使一个处于平衡位置的原子发生移位，所需的最小能量. (对于硅原子, Ed?15eV) EEd 无位移原子 ??EdE2Ed 有位移原子 ??E2Ed 级联碰撞 注入离子通过碰撞把能量传给靶原子核及其电子的过程，称为能量传递过程 损伤区的分布 重离子每次碰撞传输给靶的能量较大，散射角小，获得大能量的位移原子还可使许多原子移位。注入离子的能量损失以核碰