复旦集成电路工艺课件-12.pptVIP

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 Chemical Vapor Deposition (CVD) Single crystal (epitaxy) 化学气相淀积（CVD） 单晶 (外延）、多晶、非晶（无定型）薄膜 半导体、介质、金属薄膜 常压化学气相淀积（APCVD），低压CVD (LPCVD)，等离子体增强淀积（PECVD）等 Two different modes of epitaxy Non-selective epitaxial growth (NSEG) 集成电路工艺原理 INFO130024.02 第八章 薄膜淀积原理 (上) 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 半导体薄膜：Si 介质薄膜：SiO2，Si3N4, BPSG，… 金属薄膜：Al，Cu，W，Ti，… 在集成电路制备中，很多薄膜材料由淀积工艺形成 单晶薄膜：Si, SiGe（外延） 多晶薄膜：poly-Si Deposition 1）化学气相淀积 — Chemical