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杂质分凝系数 　　分凝系数（segregation coefficient）： 对于固相-液相的界面，由于杂质在不同相中的溶解度不一样，所以杂质在界面两边材料中分布的浓度是不同的，这就是所谓杂质的分凝现象。这种杂质分凝作用的大小常常用所谓分凝系数来描述：“分凝系数” 杂质在固相中的溶解度 / 杂质在液相中的溶解度 。所谓区域提纯就是利用这种分凝作用来提纯金属和半导体等材料的。 分凝现象也可以用来制作所谓合金pn结。例如，在n型Si衬底片上面放置金属杂质Al，然后加热让Al-Si共熔，由于Al在Si中的分凝系数 1（具体数值与温度有关），这就意味着液相Si中的Al含量要高于固相Si中，因此当液相Si冷却、再结晶后，即成为了p型层；该再结晶层与衬底Si之间即形成了pn结。 杂质的分凝现象不仅出现于固相-液相的界面处，而且在不同种类材料的固体-固体界面上也存在。例如，对Si-SiO2界面：硼的分凝系数为3/10，磷的分凝系数约为10/1。这就是说，掺硼的Si在表面通过热氧化而形成一层SiO2以后，在表面附近处的硼浓度将会减小；而掺磷的Si在经过热氧化以后，Si表面附近处的磷浓度将会增高。这种杂质的分凝作用在器件制作工艺中是值得注意的一个问题。 分凝现象：将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时，杂质在结晶的固体和未结晶的液体中浓度不同的现象（偏析现象） 平衡分凝系数：在一定温度下，平衡状态时，杂质在固液两相中浓度的比值 K0 CS/CL 平衡状态：无限缓慢地冷却，杂质在固相和液相中充分扩散 impurities in silicon 表1硅单昌中杂质的物理、化学性质 ┌──┬────┬───┬──────┬───────┬────┬─────────────────┬─────┐ │杂质│ 类型 │熔点 │分凝系数 │最大固溶度 │蒸发常数│扩散系数D 刃屺xp〔一E/KT〕 │扩散型式 │ │元素│ A受主 │ oC │ │ at/emZ │ em/s ├──────┬───┬──────┤ │ │ │ D施主 │ │ │ │ │DO emZ/s │E eV │适用温度 ℃ │ │ ├──┼────┼───┼──────┼───────┼────┼──────┼───┼──────┼─────┤ │B │A │2027 │0 .9 │6X1020 │5X10一6 │l6 │3 .8 │1050一1350 │代位 │ ├──┼────┼───┼──────┼───────┼────┼──────┼───┼──────┼─────┤ │A1 │A │659 │2X10一3 │2X1019 │10一4 │4 .8 │3 .3 │1050一1450 │代位 │ ├──┼────┼───┼──────┼───────┼────┼──────┼───┼──────┼─────┤ │Ga │A │30 │8X10一2 │4X1019 │10一2 │3 .6 │3 .5 │1100一1350 │代位 │ ├──┼────┼───┼──────┼───────┼────┼──────┼───┼──────┼─────┤ │In │A │156 │4X10一‘ │6 .7X1020 │SX10一2 │16.5 │4 .0 │1100一1350 │代位 │ ├──┼────┼───┼──────┼───────┼────┼──────┼───┼──────┼─────┤ │P │D │597 │0 .35 │1 .3X1021 │10一4 │10.5 │3 .7 │950一1230 │代位 │ ├──┼────┼───┼──────┼───────┼────┼──────┼───┼──────┼─────┤ │AS │D │817 │0 .30 │1 .8X1021 │SX10一3 │0 .32 │3 .6 │1050一1350 │代位 │ ├──┼────┼───┼──────┼───────┼────┼──────┼───┼──────┼─────┤ │Sb │D │630 │0 .023 │6 .5X1019 │7X10一2 │12.9 │3 .0 │1190一1400 │代位 │ ├──┼────┼───┼──────┼───────┼────┼──────┼───┼──────┼─────┤ │Cu │D，A │1083 │4X10一4 │1 .5X1018 │5X10一2 │4X10一2 │10 │ │填隙，代位│ ├──┼────┼───┼──────┼───────┼────┼──────┼───┼──────┼─────┤ │Au │D，A │1063 │2 .5 x 10一5│1 .2X1017 │ │1 .lx10