智能表用石英晶体谐振器特性及应用.ppt

海创电子 HI-TRUSTY ELECTRON 海创电子 HI-TRUSTY ELECTRON 海创电子 HI-TRUSTY ELECTRON 海创电子 HI-TRUSTY ELECTRON 石英晶体谐振器特性及应用 一. 石英谐振器基础知识 二. 石英谐振器的指标及性能 三. 典型的石英晶体应用电路 四. 电路失效原因及常见故障现象 五.石英晶体选用的注意事项 六.使用过程中的注意事项 * 一、石英谐振器基础知识 石英晶体谐振器的内部结构 左图中： 1---镀金属电极的晶片 2---金属外壳 3---晶体底座 HC-49U HC-49S SMD晶振结构图 C1——动态电容 Rr——串联谐振电阻 L1——动态电感 C0——静电容 石英晶体的等效电路及电抗频率特性图 a） f C0 b） C1 L1 Rr c） O 容性 容性 感性 X fp fs （a）—— 符号 （b）—— 等效电路 （c）—— 电抗-频率特性 二．主要性能指标 1、标称频率：技术条件所指定的频率，通常指产品上标志的频率。 2、 工作频率：在给定电路上和规定条件下石英谐振器工作所产生的实际频率。 3、 调整频差：在规定条件下（25±2℃），基准温度的工作频率相对于标称频率的最大偏离值，计算公式为： △f f0max = f1－f0 f0 4、 温度频差：在规定条件下，某温度范围内的工作频率相对于基准温度下工作频率的最大偏离值，计算公式为： △f f0max = f2－f1 f1 f2 某工作温度范围内的最大工作频率 f1 基准温度下的工作频率 5、 谐振电阻：在规定条件下，石英谐振器不串负载电容在谐振频率时的电阻。 6、 激励电平： 为石英谐振器工作时消耗的有效功率，产品规格书中每种产品规定的激励电平值是一个测试条件，也是一个使用条件，实际使用时激励电平应选择合适的值。 7.激励电平依赖性（DLD): 指在晶体元件谐振电阻随激励电平条件变化的特性。（指标有DLD2 DLD4） 8、 负载电容： 从石英谐振器插脚两端向振荡电路方向看进去的全部有效电容为该振荡器加给石英谐振器的负载电容。 负载电容与石英谐振器一起决定振荡器的工作频率，通过调整负载电容，一般可以将振荡器的工作频率调到标称值。负载电容和谐振频率之间的关系不是线性的，负载电容变小时，频率偏差量变大；负载电容提高时，频率偏差减小。 CL △F/F 10pF 30pF 9、 动态参数C1、L1，静电容C0 C1，L1，C0是晶体的三个特性参数，随着晶体的日益扩展，对C1，L1，C0也有了更多的要求，影响C1，L1，C0的因素很多，如装架方式，镀银面积，返还量，滚筒倒边留边宽度等。 C0=0.0402Ae/t C1=KcAe/tn2 L1=KLt3 /Ae Kc=186*10-6PFmm KL =42H/mm 10、 牵引量Ts： 频率随电容的变化量，单位为ppm/pF 应用于调频无线电设备，微波通信，锁相技术中的石英晶体振荡器,对石英晶体元器件动态参数如C1，L1，TS,的要求。 11、品质因素 Q值 Q值是反映谐振器工作时克服摩擦阻尼而消耗能量的大小。 Q=2πfL1/R 11 、年老化率： 晶体在放置一年后频率的变化量。通常采用加速老化的方法（85 ℃±2 ℃老化30天，一周测量一次，晶体频率变化量）测试。 电阻焊年老化率＜± 3～5×10-6 冷压焊、真空玻璃密封年老化率＜± 1～3×10-6 三.典型的石英晶体应用电路 Cg Cd CRYSTAL Rf Rd Cg,cd:两个外部电容 Rf:内部反馈电阻 Rd:外部限流电阻 晶体负载电容的确定： CL=C杂散+ C杂散：2～5pF Cg，Cd→27pF→CL=16pF Cg，Cd→33pF→CL=20pF Cg，Cd→47pF→CL=30pF Cg*Cd Cg+Cd Cg Cd CRYSTAL Rf Rd 如果电路使用IC方式，而且IC制造各不相同，那么频率，激励功率，负阻抗须被确认，负阻抗可视为放大回路增益值得大小，负阻抗偏小时起振不稳定，OA的值应达到谐振阻抗ESR的5～ 10倍。 OA=RQmax+ESR SF= ≥5 OA ESRmax Cg Cd RQ ESR 电路负阻抗的