第五章 单片机存储器扩展.pptVIP

5-3 存储器的连接 存储器与微型机三总线的连接： 5-3-1 存储器芯片的扩充 例1用2K×1位存储器芯片组成 2K×8位存储器系统。 例2用2K×8位存储器芯片组成2K×16位存储器系统。 二.扩充存储器容量 例三片8KB的存储器芯片组成 24KB 容量的存储器。 确定各存储器芯片的地址空间： 2．译码片选法 3-8 地址译码器：74LS138 2．译码片选法 Y0、Y1、Y2分别连接三片存储器的片选端CE1、CE2、CE3 5-3-2 存储器与单片机的连接 存储器与微型机三总线的一般连接方法和存储器读写时序。 1.数据总线与地址总线为两组独立总线。 5-3-2 存储器与单片机的连接 8位地址锁存器 74LS373、8282 二．微型机总线扩展驱动 当单片机外接芯片较多，超出总线负载能力，必须加总线驱动器。 5-3-3 存储器与单片机的连接实例 MCS-51用于扩展存储器的外部总线信号： P0.0～0.7：8位数据和低8位地址信号，复用总线AD0～7。 P2.0～2.7：高8位地址信号AB8～15 ALE： 地址锁存允许控制信号 RD： 片外数据存储器读控制信号 WR： 片外数据存储器写控制信号 PSEN： 片外程序存储器读控制信号 EA： 程序存储器选择 5-3-3 存储器与单片机的连接实例 5-3-3 存储器与单片机的连接实例 四.单片机扩展存储器实用电路 单片机连接 8KB EPROM 2764 和 8KB RAM 6264 各一片 五. 单片机外接EEPROM电路的存储器电路 2.微型机复用总线结构 数据与地址分时共用一组总线。 单片机 AD0～n ALE R/W D0～n A0～n R/W 存储器 Di Qi G 地址 锁存器 ALE 地址 锁存 地址 锁存 地址 输出 数据 有效 地址 输出 数据 有效 AD0～n 数据 采样 数据 采样 R/W 单向驱动器74LS244用于 地址总线驱动 双向驱动器74LS245用于 数据总线驱动 数据存储器：分别编址 MOV A，Rn MOVX A，@Ri 程序存储器：统一编址 MOVC A，@A+PC 一.扩展程序存储器电路： 8031扩展 2KB EPROM Intel 2716 常用EPROM芯片：Intel 2716(2K×8位)、2732(4KB)、2764(8KB)、27128(16KB)、27256(32KB)、27512(64KB)。 二. 扩展数据存储器电路： 常用RAM芯片： Intel 6116(2KB)、6264(8KB)、62256(32KB)。 8031扩展 2KB RAM Intel 6116 * * * * * * 第5章 单片机存储器扩展 存储器是用来存储二值数字信息的大规模集成电路，是进一步完善数字系统功能的重要部件。它实际上是将大量存储器按一定规律结合起来的整体。 读写存储器又称随机存储器。 读写存储器的特点是：在工作过程中，既可从存储器的任意单元读出信息，又可以把外界信息写入任意单元，因此它被称为随机存储器，简称 RAM 。 Random Access Memory . . . 5.1 随机存取存储器（RAM） 第5章 单片机存储器扩展 5.1 随机存取存储器（RAM） RAM 按功能可分为 静态、动态两类 RAM 按所用器件又可分为双极型和 MOS型两种 1.双极型：由TTL电路组成基本存储单元，存取速度快。 2.MOS型：由CMOS电路组成基本存储单元，集成度高、功耗低。 1.SRAM：静态RAM。存储单元使用双稳态触发器，可带电信息可长期保存。 2.DRAM: 动态RAM。使用电容作存储元件，需要刷新电路。集成度高，反应快，功耗低，但需要刷新电路。 第5章 单片机存储器扩展 5.1.1 RAM的电路结构与工作原理 Wi D D 符号 1. RAM存储单元 (1) 静态RAM存储单元（位） X：行选择线 Y：列选择线 5.1 随机存取存储器（RAM） 5.1.1 RAM的电路结构与工作原理 1. RAM存储单元 (1) 静态RAM存储单元（位） (2) 动态RAM存储单元（位） 四管MOS动态存储单元 电容作存储元件 设：C1上充有电荷，且C1上的电压达到T1的开启电压，则T1导通，Q为低电平0，它使C2放电，使C2上的电压为0，因此T2截止，为高电平1，这是存储单元的一个稳定状态，表示存储单元存储了数据0。 电容有漏电流，需定时刷新。 5.1.1 RAM的电路结构与工作原理 1. RAM存储单元 2. RAM的基本结构 存储器容量表示方法：mkXn 存储器容量表示方法：mkXn 8kX1 ? 数据线