驱动参数对IGBT开关性能的影响(CPSS).pptxVIP

驱动参数对IGBT开关性能的影响 遇到的问题 双脉冲实验测得的开关损耗与产品规格书不同 母排的杂散电感 测量的误差，比如探头的耦合参数，带宽，延时…… 驱动电路的参数不同 （Rgon，Rgoff，Cge，Lg） 如何判断栅极电阻值选取是否合适？ 如何通过调整驱动参数来优化IGBT开关性能？ 2 set date Copyright ? Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. IGBT的开通要注意什么？ 开通损耗。避免过大导致器件发热 开通时桥臂电流的di/dt。尤其要注意低温小电流时，二极管反向恢复特性 是否有隐含电阻 3 set date Copyright ? Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. 驱动参数对IGBT开通的影响（栅极电阻Rg） 随着Rgon的增大，无论是开通di/dt还是dv/dt都会相应地减小，开通特性就会变软 随着Rgon的增大，通损耗迅速增大 4 set date Copyright ? Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. Rgon=0.9ohm di/dt=6128A/us Eon=196mJ Rgon=4.7ohm di/dt=3283A/us Eon=650mJ Rgon=2.6ohm di/dt=4270A/us Eon=437mJ 驱动参数对IGBT开通的影响（栅极电阻Rg） Rgon的减小也不是没有底线的，且底线和其他测试因素相关。（比如Ls，反并的续流二极管） 5 set date Copyright ? Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. Rgon=1.5ohm IC=600A Rgon=1.5ohm IC=60A 驱动参数对IGBT开通的影响（栅极电阻Rg） 反并的续流二极管的变化 6 set date Copyright ? Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. Rgon=1.5ohm IC=600A Rgon=1.5ohm IC=60A 驱动参数对IGBT开通的影响（栅极电容Cge） 限制IGBT开通时的di/dt 降低di/dt和dv/dt之间的联动效应 7 set date Copyright ? Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. 驱动参数对IGBT开通的影响（栅极电容Cge） 使用Cge并减小Rgon可以实现相近的开通di/dt，但其dv/dt会更高 增加的栅极电容需要更大的栅极驱动电流，这需要更高电流峰值的驱动器 这个电容要选择精度好，温漂小的一类介质电容 8 set date Copyright ? Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. Rgon=2.6ohm，无Cge di/dt=4270A/us Eon=437mJ Rgon=1.7ohm，Cge=46nF di/dt=4324A/us Eon=386mJ 驱动参数对IGBT开通的影响（栅极回路电感Lg） IGBT模块内部，端子到芯片的电感 驱动板连接到IGBT的电感 栅极驱动板上的回路电感 9 set date Copyright ? Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. 回路电感最小 回路电感中等 回路电感最大 驱动参数对IGBT开通的影响（栅极回路电感Lg） 栅极线缆越长，IGBT开通的速度越快，开通损耗越小 增大栅极回路电感和减小栅极电阻的结果非常相似。 栅极回路电感大可能会导致栅极电压振荡和系统不稳定 10 set date Copyright ? Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. 短双绞线di/dt=6128A/us Eon=196mJ 长双绞线di/dt=6920A/us Eon=87mJ IGBT的关断要注意哪些参数 关断损耗 dv/dt VCE过压 寄生导通现象 其它 （负压关断） 11 set date Copyright ? Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. 驱动参数对IGBT关断的影响 由于IGBT芯片工艺不同，Rgoff对关断峰值电压的影响也随之改变 有些IGBT的关断峰值电压甚至会随着关断栅极电阻的增大而升高