3.2 双极型半导体晶体管.ppt

第3章 双极型晶体管及其基本放大电路 a. 集电结反向饱和电流ICBO 反向击穿电压 反向击穿电压表示晶体管电极间承受反向电压的能力。 3.2.7 晶体管的型号及封装 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 有两种载流子参与导电 本质是一种电流控制电流源器件（CCCS） 半导体三极管、晶体三极管，简称晶体管 双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)； 3.1 引言 仅由一种载流子参与导电 本质是一种电压控制电流源器件（VCCS） 场效应管。 晶体管 Transistor 场效应晶体管(Filed Effect Transistor，FET)。 小功率管 中功率管 大功率管 3.2 双极型晶体管 NPN型 PNP型 基极b 发射极e 集电极c 发射结Je 集电结Jc 发射区 基区 集电区 3.2.1 双极型晶体管的结构及类型 3.2.2 晶体管的三种组态 IEN IEP ICBO IE IC IB IBN IE=IEN + IEP 且IEN IEP IC= ICN +ICBO ICN= IEN - IBN IB= IEP