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Package for VCSELs Low speed TOSA 10Gb/s TOSA Array TOSA 温度的影响 有源层的禁带宽度随温度增加而变窄，使激射波长发生红移，其红移量约为0.2~0.3nm/℃，与器件的结构和有源区材料有关。 如需要有稳定的工作波长，对半导体激光器需进行恒温控制。 可以借此特性，用适当的温度控制来微调激光的峰值激射波长，以满足对波长要求严格的一些应用。 根据上述分析，为了得到单纵模输出，可采取以下几种方法： 采用对主模选择反馈放大，从而提高边模抑制比（如采取内光栅DFB、DBR激光器等） 短腔激光器（如VCSELs） 通过减少自发辐射因子和腔长、增加腔面的反射率来减少次模的饱和功率，从而实现单纵模工作。 5. 半导体激光器的线宽 同其它激光器一样，光谱线宽是表征激光器相干特性的重要参数，光谱线宽对半导体激光器的许多应用产生重要的影响。 一般的半导体激光器在阈值以下的谱宽（谱线宽度）达60nm，而阈值以上的谱宽可压至2~3nm或更小。 半导体激光器的线宽比其它气体或固体激光器宽得多。（因为半导体激光器中，受激跃迁不是发生在两个分立的能级之间，而是发生在由禁带宽度所隔的两个能带之间。而且半导体激光器的腔长短、腔面反射率低，因而其品质因素Q值低） 半导体激光器的线宽与输出功率P成反比。 经常用功率与线宽之积来对激光器作综合评价。 即使输出功率为无穷大，半导体激光器的线宽并不为零，而仍有一个与功率无关的线宽。该线宽的大小取决于总的模谱，它随激光振荡模式的增加而增大。 温度增加，加剧了引起半导体激光器线宽的各个因素，因而随着温度的增加，其线宽增大。 尽管形成激光器振荡模式和光谱线宽的机理不完全一样。但采取适当的有效措施可以既实现单模振荡，又能压缩线宽。如采用光栅选模机制的DFB激光器。 三、 半导体激光器的基本结构 1. 概述 对于同质结。在正向偏压下，势垒高度降低。辐射复合发生在P区的一个电子扩散长度内的电子与N区一个空穴扩散长度内的空穴之间。在如此“厚”的有源区内积累到阈值所需的非平衡载流子浓度，会使其阈值电流密度变得很高。而且辐射复合产生的光子或光场也会向有源区两边渗透，减少输出光功率。 降低半导体激光器阈值电流的方法： a.提高受激辐射效率: 将注入到有源区的载流子限制在很小的区域内，以提高注入载流子浓度。 b.提高谐振腔的效率: 要有一个光波导将辐射复合产生的光子限制在有源区内。 实现这两个目的, 有效途径是采用异质结。 半导体激光器的主要结构类型如下。这些结构最主要的考虑是基于将电子与光子如何有效地限制在有源区内，如何改变光的反馈机构实现动态单纵模等。 谐振腔及有源层的类型 在诸多的结构形式中只有几种是最基本的，如双异质结激光器、条形激光器、量子阱激光器和分布反馈激光器，某些高性能的激光器是这些基本结构形式的优化组合。 双异质结半导体激光器 结构：有源层夹在同时具有宽带隙和低折射率的两种半导体材料之间，以便有效地限制载流子与光子。 p-GaAs和p-AlGaAs之间的异质结阻挡电子向p-AlGaAs扩散；p-GaAs和n-AlGaAs之间的异质结阻挡空穴向n-AlGaAs扩散。将载流子有效的限制在有源层中，再加上有源层的厚度很薄，所以很容易形成粒子数反转分布，有效地降低了阈值电流。 宽禁带材料的折射率较低，GaAs和AlGaAs的折射率差约5％，形成波导，减少光子的损耗，增加了有源层的光子浓度。 2. 异质结半导体激光器 条形（stripe geometry）半导体激光器 双异质结半导体激光器按结构可分为宽接触半导体激光器和条形半导体激光器。 在平行于结平面方向上没有任何侧向载流子限制和光波导导引结构的称为宽接触半导体激光器。 宽接触半导体激光器的缺陷：在平行于结平面方向上对载流子和光子没有限制作用。从而使激光器的阈值电流较高、纵模与横模特性较差等。 针对有源区的载流子和光子在结平面方向的限制问题, 采用的条形结构，是半导体激光器发展史上的一个重要里程碑。 有源区侧向具有限制结构的激光器统称为条形激光器。 条形激光器所带来的一系列好处: a. 注入载流子的侧向限制和载流子侧向扩散的限制以及辐射场的有效限制能使器件的阈值电流降低。 b. 能实现侧向基模工作，易于和光纤实现高效率耦合。 c. 有源区产生的热量能通过四个方向的无源区传递而逸散，改善器件的热状态。 d. 有源区尺寸小了，提高了材料均匀的可能性。 f. 减慢了激光器的退化过程，提高了电能向光能的转换效率。 增益导引（gain guided）和折射率导引（index guided）半导体激光器 增益导引半导体激光器 结构：可以将电极做成条形