半导体物理---PN结习题.docVIP

PN结作业题 For a silicon step pn junction, the n side has a net doping of and the p side has a net doping of . Find the junction width. Find the widths of the n side of the depletion region and the p side of the depletion region . What is the built-in voltage? 对GaAs材料突变PN结，完成第1题给出的计算要求。 3、 1 如果PN结的N区长度远大于Lp, P区长度为Wp, 而且P区引出端处少数载流子电子的边界浓度一直保持为0,请采用理想模型推导该PN结电流-电压关系式的表达形式 采用双曲函数表示 2 若P区长度远小于,该PN结电流-电压关系式的表达形式将简化为什么形式? 3 若P区长度远小于,由上述（2）的结果推导PN结总电流中和这两个电流分量之比的表达式? 4 如果希望提高比值, 应该如何调整掺杂浓度和的大小? 提示: 两个区域可以分别采用两个坐标系，将坐标原点分别位于势垒区两个边界处，可以大大简化推导过程中的表达式 4． 已知描述二极管直流特性的三个电流参数是＝A、＝A、＝0.1A。请采用半对数坐标纸，绘制正偏情况下理想模型电流，势垒区复合电流和特大注入电流这三种电流表达式的I－V曲线，并在此基础上绘制实际二极管电流随电压变化的曲线。 （提示：特大注入条件下，） 5、A one-side step junction diode with and has a junction area of . It is known that, for the minority carrier, , 1 Please compare the junction capacitance and the diffusion capacitance under reverse bias 2 Compare the junction capacitance and the diffusion capacitance under forward bias 6、已知300K的PN结的，正向直流偏置为； 1 计算小信号电导g； 2 若在直流偏置的基础上，电压增量为 1mv、5mv、10mv、26mv，请分别采用下面两种方法，计算电流的变化量，并且根据计算的结果说明“小信号”的条件。 方法一：采用小信号电导公式； 方法二：直接采用计算电流增益的表达式： 7、如图所示的脉冲信号Vapp通过电阻加在PN结两端，请绘PN结上的电压Va以及流过PN结的电流随时间变化的曲线示意图（设脉宽远大于开关时间）。 8、下表列出了二极管的主要模型参数。请完成“含义”一栏以及“默认值”一栏空缺项的填写 模型参数 含 义 单位 默认值 IS A 1.0E-14 N 发射系数 — 1 RS ohm CJ0 F FC 正偏耗尽层电容系数 — 0.5 M PN结梯度因子 — 0.5 VJ V 1 TT S BV V IBV A 1.0E-10