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图像传感器CCD图像传感器，是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同，可分为CCD（Charge Coupled Device，电荷耦合元件）和CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体元件）两大类。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应用于较低影像品质的产品中，它的优点是制造成本较CCD更低，功耗也低得多，这也是市场很多采用USB接口的产品无须外接电源且价格便宜的原因。尽管在技术上有较大的不同，但CCD和CMOS两者性能差距不是很大，只是CMOS摄像头对光源的要求要高一些，但该问题已经基本得到解决。CCD元件的尺寸多为1/3英寸或者1/4英寸，在相同的分辨率下，宜选择元件尺寸较大的为好。图像传感器又叫感光元件。CCD 直接将光学图像转换为电荷信号，以实现图像的存储、处理和显示。其特点体现在4个方面：1）体积小，重量轻，能耗少，工作电压低，抗冲击与振动，寿命长；2）灵敏度高，噪声低，动态范围大；3）响应速度快，刷新时无残留痕迹，摄像启动快；4）利用 VLSI 技术生产，象素密度高，尺寸精确，批量生产成本低。1 CCD 分类从 CCD 的工作特性可分为：线性 CCD和矩阵式 CCD。b. 从工艺特性又可分为：单CCD、3CCD 及 Super CCD 三种。c. 按光谱可分为可见光 CCD、红外 CCD、X 光 CCD 和紫外CCD。2 CCD 结构CCD 从结构上分为线阵 CCD 和面阵CCD，从受光方式分为正面光照和背面光照两种。线阵CCD有单沟道和双沟道两种信号读出方式，其中双沟道信号读出方式的信号转移效率高。面阵CCD的结构复杂，常见的有帧转移(FT ) CCD、全帧转移( FFT ) CCD、隔列内线转移(IIT ) CCD、帧内线转移( FIT ) CCD、累进扫描内线转移( PSIT ) CCD等。3 CCD 成像原理CCD(Charge Coupled Devices，CCD)由大量独立光敏元件组成，每个光敏元件也叫一个像素。这些光敏元件通常是按矩阵排列的，光线透过镜头照射到光电二极管上，并被转换成电荷，每个元件上的电荷量取决于它所受到的光照强度，图像光信号转换为电信号。当CCD工作时，CCD 将各个像素的信息经过模/数转换器处理后变成数字信号，数字信号以一定格式压缩后存入缓存内，然后图像数据根据不同的需要以数字信号和视频信号的方式输出。CCD 工作过程可分为电荷存储、电荷转移、电荷输出和图像信息还原四个阶段。3.1 电荷存储构成 CCD基本单位是 MOS 电容器，类似于MOS 晶体管结构，和其他电容器一样，MOS电容器能够储存电荷。当金属电极（称为栅）加正电压时（衬底接地），在电压的作用下就会产生一个垂直于衬底表面的电场。在此电场的作用下，P 型硅中的多子空穴被向下排斥，形成耗尽层。电子在那里势能较底，可以形象化地说，形成了电子的势阱，势阱中能够容纳多少个电子，取决于势阱的“深浅”，栅电压越大，势阱越深。3.2 电荷转移若CCD基本单位MOS 电容器之间排列足够紧密（通常相邻 MOS 电容电极间隙小于3μm），使相邻 MOS 电容的势阱相互沟通，即相互耦合，那么就可使信号电荷（电子）在各个势阱中转移，并力图向表面势 S 最大的位置堆积。因此，在各个栅极上加以不同幅值的正向脉冲G，就可改变它们对应的 MOS 的表面势 S，亦即可改变势阱深度，从而使信号电荷由浅阱向深阱自由移动。就电荷转移方式来讲，CCD 有二相、三相、四相等多种结构形式。下面是三相CCD 转移图：3.3 电荷输出电荷输出结构有多种形式，如“电流输出”结构“、浮置扩散输出”结构及“浮置栅输出”结构。其中“浮置扩散输出”结构及“浮置栅输出”结构应用最广泛，结构如下图：3.4 图象信息还原Bayer 方式滤色器，R-G-B-G 四个单元为一组，G是R和B的两倍，因为人眼的视锥细胞对绿色更敏感。现在数码相机普遍采用的方式：R-Gr-B-Gb 混合色亮度等于 R、G、B 各分量亮度之和，根据R、G、B三分量比例来还原色彩。4 CCD 主要参数CCD 主要参数有：总像素、有效像素、尺寸、灵敏度、量子效率、光谱响应特性、转移效率、不均匀度、动态范围、采样精度、线性度、噪声等。4.1 灵敏度它是指在一定光谱范围内单位曝光量的输出信号电压（电流）。也相当于投射在光敏元上的单位辐射功率所产生的电压（电流）。4.2 量子效率如果说灵敏度是从宏观角度描述 CCD 光电特性，那么量子效率是对同一个问题的微观描述，可以理解为1个光子能产生的电子数。4.3 光谱响应特性主要由光电二极管特性决定。下图是Si光电二极管的光谱响应曲线。Si 材料的禁带宽度决定了光谱响应的长波极限，由于波长愈短，半