第一章 太阳电池物理基础2.pptxVIP

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  • 2016-08-24 发布于湖北
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第一章 太阳电池物理基础2

材料吸收深度x吸收深度——光在被完全吸收之前进入半导体的深度。与吸收系数成反比关系,即为α-1。显示了光在其能量下降到最初强度的大概36%(或者说1/e)的时候在材料中走的深度。 高能量光子的吸收系数很大,所以它在距离表面很短的深度就被吸收了(例如硅太阳能电池就在几微米以内),而红光在这种距离的吸收就很弱。即使是在几微米之后,也不是所有的红光都能被硅吸收。生成率生成率是指被光线照射的半导体每一点生成电子的数目。 假设减少的那部分光线能量全部用来产生电子空穴对,那么通过测量透射过电池的光线强度便可以算出半导体材料生成的电子空穴对的数目。 G=αN0e-αx N0为表面的光子通量(光子/单位面积.秒) α为吸收系数,x为进入材料的距离。 光的强度随着在材料中深度的增加呈指数下降,即材料表面的生成率是最高的。 对于光伏应用来说,入射光是由一系列不同波长的光组成的,因此不同波长光的生成率也是不同的。下图显示三种不同波长的光在硅材料中的生成率。电子空穴对的生成率进入硅的深度 计算一系列不同波长的光的生成率时,净的生成率等于每种波长的总和。下图显示入射到硅片的光为标准太阳光谱时,不同深度的生成率大小。Y轴的范围大小是成对数的,显示着在电池表面产生了数量巨大的电子空穴对,而在电池的更深处,生成率几乎是常数。五、载流子的复合 载流子的复合——所有处在导带中的电子都是亚稳定状态的,并最终会回到

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