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矽穿孔 班級：微電四甲 學號：4983A043 姓名：施俊成 目錄 1. 矽穿孔(The?Via?Revolution) 4 1.1. 矽穿孔(The?Via?Revolution)簡介 4 2. Charge Coupled Devices 6 2.1. CCD簡介： 6 3. 蝕刻(etch) 8 3.1. 蝕刻簡介 8 3.2. 蝕刻種類 8 3.3. 電漿蝕刻簡介 12 3.4. 何謂電漿 12 4. 矽穿孔技術的3DIC類型 13 4.1. 晶圓級封裝(wafer?level?packaging) 13 5. TSV技術製作 14 5.1. 激光鑽孔(laser?drilling) 14 5.2. 深反應離子蝕刻 15 6. 前段製程(Front?End?of?Line?) 16 7. 後段製程(Back?End?of?Line) 16 圖目錄 圖1. 1 3D堆疊技術 3 圖1. 2 打線接合 4 圖1. 3非打線接合(Wire Bonding)[6] 5 圖1. 4 矽芯片的光轉換成圖 6 圖1. 5 CCD的圖像 7 圖1. 6 等向性與非等向性蝕刻之示意圖 8 圖1. 7 式蝕刻成果圖 11 圖1. 8激光鑽孔機(laser?drilling machines)[7] 14 圖1. 9 FEOL [11] 16 圖1. 10 B