传感器第三章 2006.ppt

讨论：①若ω 0时，Usrm 0,Ku 0。说明压电元件上微弱电量通过Ra和Ri漏掉,不能用于测量静态力学量。 ②若ω越大，并使ω2R2 Ca+Ci+Cc 2》1 二、常用谐振式压力传感器 1.音叉式压力传感器 如上图，其放大电路框图为： 2.石英压力传感器 图a为一石英压力传感器，压力通过波纹管加给悬臂梁，梁受力弯曲使谐振器受力，谐振频率变化；主谐振器两侧的谐振器起补偿作用。 因石英晶体的对称性，只有d11,d14独立，而d12 -d11，d25 -d14 d26 -2d11。实验测得：d11＝±2.31×10-12C·N-1, d14 ±0.73×10-12C·N-1。对于右旋石英晶体d11 0，d14 0。 压电效应矩阵表达式： 说明：在不同方向上压电效应强弱不同； 沿不同方位切割不同切型的压电常数、介电常数、电转换效率不同。 2．石英晶片的形变模式----所具有的能量转换 a 厚度形变 （b）长度形变 （c）厚度剪切形变 （1） 厚度形变：在厚度方向加力F1，与x同向，则通过d11 产生x方向的纵向压电效应。 （2） 长度形变：在y方向施加一力F2，y方向长度形变，则通过d12在x方向产生电荷，称y方向的横向压电效应。 （3） 面剪切形变：x晶片的x面受剪切力F4时绕x轴转动，必产生x面切形变，通过d14在x面上产生电荷。y切片在y面受剪切力F5时绕y轴转动，y面形变通过d25在y面产生电荷。总之，两种晶片产生的电荷与剪切面共面。 （d）面剪切形变 （4） 厚度剪切形变：y切片的z面受剪切力F6时绕z轴转动，z面形变通过d26在y面上产生电荷，d26 -2d11，|d26| d11，厚度剪切形变的压电效应最强。 （5） 体积形变：若同时施加F1,F2,F3作用体积必然形变，若T1 T2 T3，则T1 、T2在x面产生电荷σ11 d11T1、σ12 d12T2；T3不产生压电效应σ3 0。 所以，总面电荷为： （e）体积形变 晶体保持电中性---无体积形变压电效应 总之，石英通过dij d11,d12,d25,d26,d14 有四种变形可将机械能转换成电能。 其它压电单晶体：有铌酸锂LiNbO3、钽酸锂LiTaO3、锗酸铋Bi12GeO2、酒石酸钠、酒石酸乙烯二铵、硫酸锂、磷酸二氢钾和砷酸二氢钾等等。 属多晶体，晶粒中形成自发极化方向一致的小区域即电畴。电畴间边界叫畴壁。相邻不同电畴间自发极化强度取向有一定夹角。刚烧结的陶瓷内电畴无规则排列，总极化强度为0，此时受力则无压电效应。 二、压电陶瓷 1.压电陶瓷的压电效应 极化过程示意图 由于束缚电荷的作用，陶瓷片极化两端很快吸附一层外界的自由电荷且自由电荷与束缚电荷数目相等，极性相反，陶瓷对外不显极性。 将极化方向取作Z轴，在垂直于Z轴的平面上任取一X轴， BaTiO3压电效应其18个dij中只有5个不为0，d31 d32,d15 -d24。表示为： 压电系数d33 190×10-12C·N-1，d31 d32 -0.41d33， d15 -d24 250×10-12C·N-1 在法向应力T1、T2、T3作用下面电荷密度为： 若T1 T2 T3 T，且d32 d31，写成： dh 2d31+d33，称为体积压缩压电常数。 正压电效应：若加一与极化方向平行的F产生压形变，电畴发生偏转，极化强度P余变小，吸附于其表面的自由电荷有部分释放。当撤消外压力时恢复原状，P余变大，又吸附部分电荷。因受力的机械效应转变为电效应的现象。 2.压电陶瓷材料 压电陶瓷材料 二元系陶瓷 三元系陶瓷 高分子压电材料 与无机压电材料比较，高分子压电材料用单位应力所产生的电压 （1）二元系陶瓷 （2）三元系陶瓷 锆钛酸铅系列, 铌镁酸铅系，铌锰酸铅系， 镁碲酸铅系，锑铌酸铅系。 （3）高分子压电材料