基区对BJT的重要性资料.pptVIP

双极型晶体管的结构： 载流子在基区的运输：（以npn型为例） 发射结处于正偏，有利于多子的扩散，基区的空穴也会注入到发射区。进入到基区的电子，大部分电子由于扩散和漂移（内电场的存在）运动到达集电结边界，在集电结反向强电场的作用下被扫入集电区。而小部分注入到基区的电子流会和基区中的空穴流复合，及转换为空穴流。 通过基区在BJT中特殊的位置以及载流子通过基区的过程，可见基区是BJT结构中一个重要的区域。 基区的宽度，参杂浓度以及杂质分布等都会影响双极性晶体管的性能。 基区宽度必须很小（即有效基区的宽度要远远小于基区中少数载流子的扩散长度），这才能形成一个有用的晶体管，否则放大性能太差（这也有利于提高频率和速度）。 同时，基区的掺杂浓度也必须小于发射区的掺杂浓度，否则同样性能也很差（但是基区掺杂浓度也不能太低，否则要影响频率、速度和噪声等性能）。 基区参杂是否均匀影响了晶体管的直流特性。 基区的宽度 适当连接晶体管，可使它具有放大功能。其中确保基区宽度很小就是是晶体管具有放大作用的原因之一，因为当有效基区的宽度远远小于基区中少数载流子的扩散长度时，那么从发射区注入到基区的载流子绝大部分可到达集电区，很少的一部分在基区被复合掉。 共基极电流放大系数α α＝γ·β*·α* 为提高电流放大系数，需减小基区传输系数β*，即减小基区宽度，选用良好的单晶体，使少子寿命 较长。 但当基区太薄，基区中存在一定的电阻 ，在多子流过基区时会产生压降，它对晶体管的特性有影响，如发射极电流集边效应，放大，频率特性变差和基极电阻引起的噪声等。 【基区扩展电阻效应会使发射结中心部分的电流密 度大大降低，发射极电流主要集中在发射极的边缘部分，产生发射极电流集边效应】 基区的杂质分布（以npn为例） 基区薄，相比较于发射区，它的浓度要很低，这样到达基区的电子与空穴复合的机会很少，则绝大部分的电子会通过基区到达集电结，再被方向强电场抽入集电区。但当基区的浓度 太小会造成基极电阻增大，功率增益下降，噪声系数上升，大电流特性变坏等弊端。 杂质分布非均匀的基区内存在自建场，加速了基区中少子运动，从而使复合电流减小，提高了基区的输运系数值。 随着集电结反向电压的增加，集电结势垒向两边扩展，基区有效宽度减小，这种现象叫基区宽度调制效应。如果基区掺杂浓度比集电区低，基区的宽度又较小，则可能在集电结发生雪崩击穿之前，有效基区宽度减小到0，基区穿通。 基区大注入少子，会使基区电导率上升，电阻率不断下降，产生基区电导调制效应。 ：共发射极短路电流放大系数降到1时的频率。为提高特征频率，需要减小 ：①降低基区宽度，这是减小 关键所在。②提高基区的电场因子，为提高电场因子，就要提高基区两端的杂质浓度之比。 * 基区对于双极型晶体管的重要性 小组讨论： 由结构可见，BJT是由两个背靠背的pn结组成 的，而基区是两个pn结中间的公共区域 Thank You! *