电子线路4.pptVIP

浙江大学交通工程研究所 电子线路 王云峰 yunfengwang@xmu.edu.cn NMOS管 结构 截面图 电路图 NMOS管工作原理 NMOS管改变阈值电压结构 阈值电压的影响因素：栅氧厚度 源漏掺杂浓度 衬底浓度 PMOS管 PMOS反型层形成原理 MOS管伏安特性 For VGS≥VTH Qd=WCox(VGS-VTH) Qd——Charge per unit length Qd (x)=WCOX[VGS- V(x)- VTH] V(x) —the channel potential at x. ID=-WCOX[VGS- V(x)- VTH] v For semiconductors, v =μE  E(x)=-dV(x)/dx For VDS＞VGS-VT ——Saturation Region Channel-Length Modulation Second-Order Effects Body Effect MOS Small-Signal Model TRANSCONDU