第二章-超净间及硅片清洁资料.pptVIP

吸杂过程 * 吸杂三步骤： 杂质元素从原有陷阱中被释放，成为可动原子 杂质元素扩散到吸杂中心 杂质元素被吸杂中心俘获 金属吸杂 * Aus＋I ? AuI 踢出机制 Aus ? AuI＋ V 分离机制 引入大量的硅间隙原子，可以使金Au和铂Pt等替位杂质转变为间隙杂质，扩散速度可以大大提高。 方法 高浓度磷扩散 离子注入损伤 SiO2的凝结析出 激活 ? 可动，增加扩散速度。替位原子 ? 间隙原子 碱金属离子的吸杂 * 碱金属离子的吸杂： PSG (Phosphosilicate glass)：可以束缚碱金属离子成为稳定的化合物, 超过室温的条件下碱金属离子即可扩散进入PSG; 超净工艺＋Si3N4钝化保护：抵挡碱金属离子的进入 其他金属离子的吸杂： 本征吸杂：使硅表面10-20mm范围内氧原子扩散到体硅内，而硅表面的氧原子浓度降低至10ppm以下。利用体硅中的SiO2的凝结成为吸杂中心。 非本征吸杂：利用在硅片背面形成损伤或生长一层多晶硅，制造缺陷成为吸杂中心。在器件制作过程中的一些高温处理步骤，吸杂自动完成。 吸杂效果 * 本节课主要内容 * 净化的三个层次：环境、硅片清洗、吸杂 净化的必要性 器件：少子寿命?，VT改变，Ion? Ioff?，栅击穿电压?，可靠性? 电路：产率?，电路性能? 杂质种类：颗粒、有机金属、自 然氧化层 强氧化物 HF:DI H2O 本征吸杂和非本征吸杂 本节课主要内容 * 硅片清洗 湿法清洗：Piranha，RCA(SC-1，SC-2)，HF:H2O 干法清洗：气相化学 吸杂三步骤：激活，扩散，俘获 碱金属：PSG，超净化＋Si3N4钝化保护 其他金属：本征吸杂和非本征吸杂 ——大密度硅间隙原子＋体缺陷 SiO2的成核生长。 硅片背面高浓度掺杂，淀积多晶硅 合格率，关系到利润；尺寸越大，器件尺寸越小，合格率越难控制； * 合格率，关系到利润；尺寸越大，器件尺寸越小，合格率越难控制； * 却O2 * 防尘服，人是最大的污染源；进入超净间，鞋套和头套，之后才是防尘服 * 电荷复合的速度的倒数，就是电荷复合掉的时间； * 亲水疏水来检查 * 超净间及硅片清洁 《大规模集成电路制造工艺》 * 晶圆制备 * 不同尺寸的晶圆 * 450mm (18inch) 300mm (12inch) 200mm (8inch) 洁净室的等级 * 净化级别：每立方英尺空气中含有尺度大于0.5um的粒子总数不能超过设计等级数值。 尘埃粒子的影响 * 例题计算 * 一集成电路厂 产量＝1000片/周×100芯片/片， 芯片价格为$50/芯片。 如果合格率为50％，则正好保本； 若要年赢利$10,000,000，产合格率需要增加多少？ 例题计算 * 合格率提高3.8%，将带来年利润1千万美元！ 年开支=销售额： 1000×100×$50×50%×52=$130,000,000 如果合格率为50％，则正好保本： 若要年赢利$10,000,000： 赢利=总成本 x (50%基础上)合格率提高量 控制污染三道防线 * (1) (2) (3) (1) 空气净化 * 工作服净化 * 工作手套 * 晶圆污染物 * 污染物包括：颗粒,有机物,重金属,以及碱性离子等； 外来杂质的危害性 * MOS阈值电压受碱金属离子的影响 当tox＝10 nm，QM＝6.5×1011 cm-2（?10 ppm)时，DVth＝0.1 V MOS DRAM的刷新时间对重金属离子含量Nt的要求 ?＝10－15 cm2，vth=107 cm/s 若要求?G＝100 ms， 则Nt?1012 cm-3=0.02 ppb !! 颗粒粘附 * 所有可以落在硅片表面的都称作颗粒。 颗粒来源： 空气 人体 设备 化学品 超级净化空气 风浴、防护服、面罩、 手套等，机器手/人 特殊设计及材料 定期清洗 超纯化学品 去离子水 颗粒粘附 * 粒子附着的机理: 静电力, 范德华力, 化学键等； 去除附着粒子机理： 1.粒子和硅片表面的电排斥； 2.氧化分解； 3.溶解； 4.硅片表面轻微的腐蚀去除； 金属的玷污 * 来源：化学试剂, 离子注入, 反应离子刻蚀等工艺 量级: 1010原子/cm2 影响: 在界面形成缺陷, 影响器件性能,成品率下降; 增加p-n结的漏电流, 减少少数载流子的寿命; Fe, Cu, Ni, Cr, W, Ti… Na, K, Li… 不同工艺过程引入的金属污染 * 干法刻蚀 离子注入 去胶 水汽氧化 9 10 11 12 13 Log (concen