第16章-半导体与激光简介.pptxVIP

第六篇 量子物理(Quantum Physics)第16 半导体与激光简介Semiconductor and Laser第1节半导体第2节激光第1节半导体1. 半导体的基本概念固体按导电性能的高低可以分为导体半导体绝缘体半导体的电阻率介于导体和绝缘体之间。既有负电性载流子(电子)又有正电性载流子(空穴)，其电学性能，可用能带理论解释。a2. 固体的能带 (1) 电子共有化固体具有大量分子、原子有规则排列的点阵结构。电子受到周期性势场的作用由于相邻原子靠的很紧, 使电子的内外各层“轨道”有不同程度的重叠。外层电子（高能级）不再局限于一个原子，电子可以在整个固体中运动。——共有化电子原子的内层电子与原子核结合较紧，一般不是共有化电子。固体中的电子能级有什么新特点？(2) 能带 (energy band)量子力学计算表明，固体中若有N个原子，由于各原子间的相互作用，对应于原来孤立原子的每一个能级，分裂成N个靠得很近的能级,称为能带。N个新能级能带的宽度记作?E数量级为 ?E～eV晶体中原子数目N~1023/cm3则能带中相邻两能级的间距约10-23eV原子中每一个许可的能级都能分裂成为能带。由于原子内外层电子的“轨道”重叠的程度不同，所以电子共有化情况不同。最外层电子 “轨道”重叠的多，电子共有化运动显著，对应的能带较宽，内层则相反。 注意E2p2s1sa0离子间距能带重叠示意图一般规律： 1o 越是外层电子 能带越宽、?E越大 2o 点阵间距越小 能带越宽、?E越大 3o 能带宽度与N无关，只与 组成晶体的原子性质有关。 4o 两个能带有可能重叠 电子排布时, 从最低的能级排起。(3) 能带中电子的排布 一个电子只能处在某个能带中的某一能级上排布原则1o 服从泡利不相容原理2o 服从能量最小原理孤立原子的一个能级Enl最多能容纳电子数为?2(2l +1)个2例如：1s、2s 能级最多容纳 个电子2p、3p 能级最多容纳 个电子6能级Enl分裂成由 N 个能级组成的能带后，这个能带最多能容纳 个电子2(2l +1)N1s、2s 能带，最多容纳 2N 个电子2p、3p 能带，最多容纳 6N 个电子 各能带具有的电子数目的多少构成不同的能带 1o 满带（排满电子）各能级完全被电子占据的能带 2o 价带（亦称导带）能带中只有一部分能级排满电子 3o 空带（亦称导带）能带中未排电子禁带 4o 禁带不能排电子各种物质的导电性, 由各自的能带结构不同而不同满价价满价导体带带带带带半导体绝缘体3.导体和绝缘体EEE按导电性能的高低可以分为空 带?Eg禁 带空 带空 带EE空 带空 带禁 带?Eg禁 带?Eg它们的导电性能不同是因为它们的能带结构不同EE空 带?Eg禁 带价带带E空 带满带E空 带满(1) 导体从能级图上来看：其共有化电子很容易从低能级跃迁到高能级上去。满满带带EE空 带空 带禁 带?Eg禁 带?Eg(2) 绝缘体在外电场的作用下, 共有化电子很难接受外电场的能量，所以不形成电流。从能级图上来看，是因为满带与空带之间有一个较宽的禁带?Eg ≈3～6 eV。共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到高能级（空带）上去。(3) 半导体能带结构中满带与空带之间也是禁带，但是禁带很窄?Eg ≈ 0.1～2 eV。当外电场非常强时, 它们的共有化电子还是能越过禁带跃迁到上面的空带中。导体4. 半导体(1) 本征半导体 （semiconductor）纯净的半导体, 如硅、锗等空带半导体禁带宽度窄、在外场的作用下, 导带中的电子、满带中的空穴同时参与导电。 ——本征导电性满带外 场电子、空穴 ——本征载流子(2) 杂质半导体本征半导体掺入少量的其它原子——杂质半导体。外 场空带量子力学计算表明，这种掺杂后多余的电子(或空穴)的能级，在禁带并紧靠空带(或满带)处，能级间隔:?ED～10-2eV极易形成电子（或空穴）导电。施主能级满带*N型半导体——以电子导电为主四价的元素(Si、Ge)中掺入少量五价元素(P、As)空带受主能级**P型半导体——以空穴导电为主四价的元素(Si、Ge)中掺入 少量三价元素(B、Ga)满带N型 P型(3) P-N结形成：P型与N型半导体密切接触EP型中的空穴将向N型扩散N型中的电子将向P型扩散E阻结果：交界处出现正、负电偶层，阻挡继续扩散达到平衡。形成P-N结，约0.1?m厚。P-N结电势曲线U0电子能级电子电势能曲线P-N结E阻P-N结处存在电势差U0它阻止P区带正电的空穴进一步向N区扩散； 也阻止N区带负电的电子进一步向P区扩散。P-N结空带空带施主能级受主能级满带