年中物院太赫兹科学技术基金指南.docVIP

2013年度中国工程物理研究院 太赫兹科学技术基金指南 一、明确性研究课题 1、基于氮化镓材料的太赫兹发射器研究 一、需要研究解决的主要需要研究解决的主要 一、需要研究解决的主要 研究太赫兹半导体激光器集成分布反馈（DFB）光栅的模式选择机制以及光栅结构参数对耦合系数、波导损耗、边模抑制比的影响，着重解决金属光栅的集成工艺技术问题。 二、预期目标和主要技术指标： 针对频率2-5THz 范围内的太赫兹半导体激光器，研制光栅耦合系数κ≥10cm-1、边摸抑制比≥20dB的DFB谐振腔,使激光器光谱线宽≤0.09cm-1（傅里叶变换光谱仪测试）。 4、高功率、快速可调谐光学太赫兹辐射源的研究 一、需要研究解决的主要预期目标和主要技术指标飞秒激光高功率太赫兹研究需要研究解决的主要需要研究解决的主要基于超材料的THz压缩感知成像技术研究 一、需要研究解决的主要问题： 压缩感知成像算法研究 天线远场/近场反演方法 超材料口径设计 二、预期目标和主要技术指标： 二、鼓励性研究方向 1、基于GaN的固态高压与固态太赫兹器件机理 围绕提高GaN基固态高压器件与固态太赫兹器件（固态高压开关、太赫兹功率放大器、太赫兹探测器等）电学性能（工作电压、工作频率、输出功率、效率等）和可靠性，鼓励开展GaN基宽禁带半导体材料、物理和器件方面的探索性研究，如围绕材料外延生长、结构优化设计、工艺集成、可靠性分析