西安交大模电半导体二极管及其应用案例.ppt

小 结 总 结 势 垒 PN结 多子扩散 少子漂移 状 态 正 偏 降低 薄 利 不利 低阻 反 偏 增高 厚 不利 利 高阻 总 结 掺杂 PN 击穿 温度 形成 浓度 结 电压 系数 原因 齐 高 薄 6V 正 少子加速 崩 碰撞电离 其它特种二极管： 发光二极管 其它特种二极管： 光敏二极管 上页 下页 后退 模拟电子 b. RL改变 RL↓ → UO↓ → UZ ↓ → I R↓ → IZ↓ → I↓ UO↑ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 2 限流电阻计算 输出电压稳定的条件: （保证稳压管被击穿） DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ Iz min ≤Iz≤IZ max 保证稳压管可靠工作的条件： DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ UO UZ 图中 IZ I－IO DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 此时当IO为最小值IO（min）时，Iz值最大。 当UI为最大值UI（max）时，I值最大； IZ I－IO 由式 知 由此可得 为保证管子安全工作应使 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ IZ I－IO 由式 此时当IO为最大值IO（max）时，Iz值最小。 当UI为最大值UI（min）时，I值最小； 知 由此可得 为保证电路可靠工作应使 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 得 由式 及 1.4.2 变容二极管 1. PN结的电容效应 （1）扩散电容CD 非平衡少子的积累 P N + + + + . . . . △U变化时，P区积累的非平衡少子浓度分布图 ΔU 0 3 ΔU 0 ΔU 0 2 1 x 电子浓度 3 2 1 P N + + + + . . . . 这种电容效应用扩散电容CD表征。 PN结正向偏置电压越高，积累的非平衡少子越多。 P N + + + + . . . . （2） 势垒电容CB U P N + + + + + + + + 空间电荷层 PN结变窄 空间电荷层中的电荷量减少 a. 当PN结正向偏置电压升高时 U+?U ?U 0 P N + + + + PN结变宽 空间电荷层中的电荷量增大 b. 当PN结正向偏置电压降低时 PN结的偏置电压能使空间电荷层中电荷量发生变化。 这种电容效应用势垒电容CB表征。 U-?U ?U 0 P N + + + + + + + + + + + + 小结： PN结的结电容Cj 当PN结正偏时： Cj CD + CB 当PN结反偏时： 变容二极管的特点： b. 电容量与所加的反向偏置电压的大小有关。 a. 当二极管反向偏置时，因反向电阻为很大， 可作电容使用。 变容二极管的符号及C-U特性曲线 符号 20 2 40 60 80 100 0 4 6 8 10 12 uD C C-U特性曲线 2. 变容二极管及其应用示例 谐振频率： 式中 高频放大器 L C1 DC R + – – +V + UD u1 由于 故谐振频率 高频放大器 L C1 DC R + – – +V + UD u1 思 考 题 1. 稳压管可以稳压的条件是什么？ 2. 稳压管稳压电路的特点是什么？ 3. 稳压管稳压电路中限流电阻的大小对电路的性能有何影响么？ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 例1 设图示电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管是导通还是截止，并求出A、B两点之间的电压ＵAB值。 V1 15V 10V V2 R 2KW UAB B + _ D2 A D1 a V1 15V 10V V2 R 2KW UAB B + _ D2 A D1 b 解：判断电路中二极管导通的方法： 假定电路即将导通，电路中的电流为零，判断电路中各二极管上的压降。压降高的管子优先导通。 对于图 a，在电路即将导通时，D1、D2上的正偏电压分别为10V，-5V。 D2反偏电压为5V D1导通 ＵAB 0V D2截止 V1 15V 10V V2 R 2KW UAB B + _ D2 A D1 a 对于图 b，在电路即将导通时， 即 D1上的反偏电压为15V D2优先导通 ＵAB -15V D1截止 D1、D2上的正偏电压分别为: 10V，25V D2优先导通后 V1 15V 10V V2 R 2KW UAB B + _ D2 A D1 b 例2. 电路如图所示。设D1