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第1章 半导体器件 1.1.1 半导体的导电特性 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间， 例如硅、锗、硒以及一些硫化物等都是半导体。 一、 本征半导体（纯净半导体） 本征半导体的导电性： 二、 杂质半导体 二、 杂质半导体 1.1.2 PN结的形成及其单向导电性 一、PN结的形成 二、PN结的单向导电性 2 PN 结加反向电压（反向偏置） 2 PN 结加反向电压（反向偏置） 半导体二极管实物图片 半导体二极管实物图片 半导体二极管实物图片 二. 伏安特性 三. 主要参数 四. 应用: 3. 主要参数 1.4 半导体三极管 一. 基本结构 （1）按导电类型分 分为NPN 型和PNP型。硅三极管多为NPN型， 锗三极管多为PNP型。 （2）按材料分 硅三极管和锗三极管。 （3）按用途分 依工作频率：f ＞3MHz为高频； f ＜3MHz为低频 。 依工作功率：P ＞1W为大功率； P ＜0.5 W为小功率； P 在0.5～1W为中功率。 二. 电流放大原理 1. 三极管处于放大状态的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 三. 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 四. 主要参数： 1. 电流放大系数，? 五. 半导体三极管应用 第1章 基本要求 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 通常定义为静态 直流 电流放大倍数。 称为动态 交流 电流放大倍数。 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极放大电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 IB ?A UBE V 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 工作在放大状态时发射结压降： 硅管： UBE ? 0.6~0.7V 锗管： UBE ? 0.2 ~ 0.3V IB 0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC mA 1 2 3 4 UCE V 9 12 O 输出特性曲线通常分三个工作区： IC mA UCE IB EC V + – – + IB 0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC mA 1 2 3 4 UCE V 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： 1 放大区 在放大区有 IC ? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 IB 0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC mA 1 2 3 4 UCE V 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ICEO ? 0 。 在截止区，发射结处于反向偏置 或正向偏置 死区电压 ， 集电结处于反向偏置。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，IB增加IC不再增加，IC ≠?IB ， 发射结处于正向偏置，集电结处于正向偏置。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成共发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数， 晶体管的参数是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 3个一般参数；3个极限参数。 例：在UCE 6 V时， 在 Q1 点IB 40?A, IC 1.5mA； 在 Q2 点IB 60 ?A, IC 2.3mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? 。 IB 0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC mA 1 2 3 4 UCE V 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 2. 集-基极反向饱和电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3.