电流注入型T型量子细线レーザーの作制と评価程序.pptVIP

Arm-Stem電流注入型T型量子細線レーザーの発振特性 東大物性研、CREST(JST)、ルーセント?ベル研A 岡野真人、劉舒曼、井原章之、吉田正裕、秋山英文 Loren N. Pfeiffer A、Ken W. West A 、Oana Malis A 研究の背景?目的 前回及び今回の発表の要旨 試料構造 電流?電圧特性の温度依存性 閾値電流?微分量子効率の温度依存性 利得吸収スペクトルの導出 利得ピーク値変化の温度依存性 閾値電流の比較 まとめと展開 Fin. プロセス方法 電流?出力特性の温度依存性 利得?吸収スペクトルの温度依存性 拡散長の温度依存性 電流によるEL imageの変化 実線が閾値電流を、点線が微分量子効率の温度依存性を表しています。 微分量子効率は温度上昇に伴ってだんだんと上昇し100Kで最大値をとります。 また、閾値電流はだんだんと減少し100Kで最小値をとります。 量子井戸やバルク半導体では通常温度に対して比例して閾値は上がっていくことが知られています。 T型量子細線でもノンドープの試料では閾値は30Kで極小をもち温度上昇に比例して閾値が上昇していきます。 そこでこのような温度依存性はArm-Stem電流注入特有の傾向であり、 内部でのTransport変化に起因していると考えられます。 さて、この閾値はIL曲線から求められたものですが、 次に、ELスペクトルから利得吸収スペクトルを導出し、 利得の変化から理論的な閾値を見積もってみました。 最後にArm-ArmとArm-Stemの特性の比較をおこないます。 閾値電流、微分量子効率ともに10倍程度悪化しています。 注入されたキャリアに対する発光するキャリアの割合を内部量子効率とよびますが、 アクティブレイヤーの構造はほぼ同じであるので二つの内部量子効率はほぼ等しいと考えられます。 するとこの特性の違いは注入効率に起因していると考えられます。 注入効率とはデバイス全体に注入される電流に対する活性領域に注入される電流の事をいい、 Arm-StemではこれがArm-Armの1/10程度であるといえます。 * 24aXL-12 背景?目的 試料構造?プロセス アウトライン まとめ?展開 実験結果 IV、ILの温度依存性 利得吸収スペクトル 背景 Arm-Stem電流注入型T型量子細線では4.2Kにおけるマルチモード発振が、1994年にW.Wegscheiderらによって報告されている。(Ith = 0.4~0.6mA) 目的 均一性の高い一次元状態を実現可能なT型量子細線を用いて電流注入型T型量子細線レーザーを作製、測定し、量子細線レーザーの物理の解明を目指す。 ?W. Wegsheider et al. APL, 65 2510 (1994) ?M. Yoshita et al. JJAP part2, 40 L252 (2001) 　 　 前回の発表(’06 Mar. JPS) ?Arm-Stem電流注入型Ｔ型量子細線レーザーの作製した ?ノーコートの試料(as cleaved)で5Kにおいて0~2.0mAの電流で測定し 　たが発振はしなかった ?EL Image測定より0~2.0mAの範囲では活性領域へのキャリア注入が 　アンバランスであることがわかった 今回 ?前回と同じ構造の試料の共振器端面をHRコーティングした。 ?HRコートした試料で、5～120Kの温度領域で電流を0～7mA流して実 　験を行った ?5～110Kの範囲においてシングルモードでの発振を観測し、その発振 　特性を得た 電子はArm wellを、正孔はStem wellを通って、細線に注入される。 Arm-Stem電流注入型T型量子細線レーザー T=5K 15K 30K 40K 50K 70K 110K 100K 60K 80K 90K 温度上昇に比例して抵抗上昇　　Pドープ層の正孔の移動度減少に起因 発振閾値：2.1mA　微分量子効率：0.9% I=2.35mA I=1.50mA I=0.25mA x4x10-2 x3x10-1 T=100K 導波路放出光 IV,IL特性 at 100K 110Kが発振温度限界→ノンドープ試料とほぼ同じ 閾値電流 微分量子効率 ピーク値を電流に対してプロット Cassidyの方法を用いて F-P振動から利得吸収 スペクトルを導出 内部量子効率の温度依存性 x x x x x x x x x exciton 正孔と電子の共存する領域にexciton生成 高温ではwireで発光するexicitonが増大 H.Hillmer et al. PRB, 39 10901 (1984) claddin