尼曼半导体物理与器件第十二章资料.ppt

* * * * * 各种不同的带电载流子的流动，定义了各种特殊的电流。 根据一些因素，用这些定义来计算电路增益。 * 前面理想情况下讨论的是均匀掺杂、小注入、发射区和基区宽度恒定、禁带宽度为定值、电流密度为均匀值、所有的结都在非击穿区的晶体管。 * VBE增加，可能出现注入的少子浓度接近或大于多子浓度，多子浓度将会增加。 * 第十二章 双极晶体管 第十二章 双极晶体管 * （2）其他工作模式 （a）截止：B-E结，B-C结均反偏，空间电荷区边界少子浓度均为零。 （b）饱和：B-E结，B-C结均正偏，空间电荷区边界存在过剩少子。 * 反向有源区：B-E结反偏，B-C结正偏。 与正向有源区中的发射极、集电极电流反向。 由于B、E区相对掺杂浓度和B、C区相对掺杂浓度不同，非几何对称，两者的特性大不相同。 第十二章 双极晶体管 * 12.3 低频共基极电流增益 npn型晶体管，正向有源区，粒子流密度和粒子流成分 从发射区注入到基区中的电子流 到达集电区的电子流 从基区注入发射区的空穴流 正偏B-E结空间电荷区复合电子流 反偏B-C结空间电荷区产生空穴流 B-C结的反向饱和电流 基区复合时需要补充的空穴流 第十二章 双极晶体管 * 流入基区补充因复合而消失 的空穴流 发射区x′=0处少子空穴扩散电流 正偏B-E结中载流子复合电流 基区x=0处少子电子扩散电流 基区x=xB处少子电子扩散电流