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模拟电子技术基础简明教程(第三版)ppt
模拟电子技术基础简明教程(第三版)ppt本文由xue890804贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。 第一章 半导体器件 1.1 1.2 1.3 1.4 半导体的特性 半导体二极管 双极型三极管( 双极型三极管(BJT) ) 场效应三极管 第一节 半导体的特性 本征半导体 杂质半导体 一、本征半导体(intrinsic semiconductor) 本征半导体(intrinsic 1. 半导体 半导体(semiconductor) 半导体的定义: 半导体的定义:将导电能力介于导体和绝缘体之间的一大类物 质统称为半导体 半导体。 质统称为半导体。 +4 +4 价 电 子 +4 大多数半导体器件所 用主要材料是硅和锗 在硅(或锗 的晶体中 在硅 或锗)的晶体中 或锗 的晶体中, +4 +4 +4 原子在空间排列成规则的晶格。 原子在空间排列成规则的晶格。 +4 +4 +4 共价键covalent 共价键covalent bond 晶体中的价电子与共价键 2. 本征半导体(intrinsic semiconductors) 本征半导体( semiconductors) 纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 本征半导体 在本征半导体中,由于晶体中共价键的结合力很强, 在本征半导体中,由于晶体中共价键的结合力很强, 在热力学温度零度( 在热力学温度零度(即T = 0 K )时, 价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚, 价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚, 晶体中不存在能够导电的载流子, 晶体中不存在能够导电的载流子, 半导体不能导电,如同绝缘体一样。 绝缘体一样 半导体不能导电,如同绝缘体一样。 本征半导体中的载流子 如果温度升高, 如果温度升高, 少数价电子将挣脱共价键束缚成为自由电子。 少数价电子将挣脱共价键束缚成为自由电子。 自由电子 在原来的共价键位置 留下一个空位, 留下一个空位, 称之为空穴。 称之为空穴。 空穴 带正电的空穴 +4 +4 +4 +4 +4 +4 hole 带负电的自由电子 +4 +4 +4 free electron 半导体中存在两种载流子: 半导体中存在两种载流子: 带负电的自由电子和带正电的空穴 带负电的自由电子和带正电的空穴。 自由电子和带正电的空穴。 在本征半导体中, 在本征半导体中, +4 +4 +4 两种载流子总是成对出现 称为 电子 – 空穴对 +4 +4 +4 两种载流子浓度相等 电子 – 空穴对 +4 在一定温度下电子 空穴对的 在一定温度下电子 – 空穴对的 产生和复合达到动态平衡。 产生和复合达到动态平衡。 +4 +4 本征载流子的浓度对温度十分敏感 二、 杂质半导体 在本征半导体中掺入某种特定的杂质,就成为杂质半导体。 杂质半导体。 在本征半导体中掺入某种特定的杂质,就成为杂质半导体 1. N型(或电子型)半导体 (N-type semiconductor) N型 或电子型) (N在4价的硅或锗中掺入少量的5价杂质元素, 价的硅或锗中掺入少量的5 杂质元素, 则原来晶格中的某些硅原子 将被杂质原子代替。 将被杂质原子代替。杂质原 子与周围四个硅原子组成共 价键时多余一个电子。 价键时多余一个电子。这个 电子只受自身原子核吸引, 电子只受自身原子核吸引, 在室温下可成为自由电子 自由电子。 在室温下可成为自由电子。 +4 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +4 自由电子 失去自由电子的杂质原子固定在晶格上不能移动, 失去自由电子的杂质原子固定在晶格上不能移动, 并带有正电荷,称为正离子。 并带有正电荷,称为正离子。 在这种杂质半导体中, 在这种杂质半导体中, 电子的浓度大大高于空穴 的浓度。 的浓度。 因主要依靠电子导电, 因主要依靠电子导电, 故称为电子型半导体。 故称为电子型半导体。 多数载流子 majority carrier +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +4 5价的杂质原子可以提供电子, 价的杂质原子可以提供电子, 所以称为施主原子 施主原子。 所以称为施主原子。 少数载流子 minority carrier 2. P型半导体(P-type semiconductor) P型半导体 型半导体(P
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