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第一章 半导体中的电子状态 半导体中电子状态和能带 半导体中电子的运动和有效质量 半导体中载流子的产生及导电机构 半导体的能带结构 主要讨论半导体中电子的运动状态。介绍半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入有效质量的概念。阐述本征半导体的导电机构，引入空穴散射的概念。最后，介绍Si、Ge和GaAs的能带结构。 §1.1 半导体中的电子状态和能带的形成 一. 能带论的定性叙述 单电子近似——假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。 单电子近似结果直接表明孤立原子凝聚成为晶体时，其中的电子状态形成能带。 1. 孤立原子中的电子状态 主量子数n: 1,2,3,…… 角量子数 l：0，1，2，…（n－1） 磁量子数 ml：0，±1，±2，…±l 自旋量子数ms：±1/2 2.晶体中的电子 （1）电子运动 在晶体中，电子在整个晶体中作共有化运动。 电子由一个原子转移到相邻的原子上, 因而, 电子将可以在整个晶体中运动。电子共有化运动：由于相邻原子的“相似”电子壳层发生交叠，电子不再局限在某一个原子上而在整个晶体中的相似壳层间运动，引起相应的共有化运动。 (2)能级分裂 a.s能级 设有A、B两个原子 孤立时,波函数为ΨA和ΨB,不重叠. 简