光敏感材料02第八章第二讲资料.ppt

* 2016.03.22调整上课内容的顺序，这里应该加上外光电效应的应用。 * * 解释杂质半导体施主能级是增加传导电子浓度，受主能级是增加空穴浓度。 * Te:碲；Cd，镉 * As 砷 正效应——载流子是 空穴 P型半导体 负效应——载流子是电子 n型半导体 硅 14 硅掺杂之后才能区分N型或P型半导体.在纯硅基础上,掺杂5价元素（外围电子5个）比如磷、砷等的称为N型半导体.掺杂3价元素比如硼、铝、铟的称为P型半导体 * * N型： 依靠电子导电的半导体；P型：依靠空穴导电的半导体。 * 参阅陈艾的书226页。 * 光弹、磁光 * 调节电压使其发生相长干涉,极大。 3、以PN结举例说明光生伏特效应 只要入射光子能量比半导体禁带宽度大，在结区、P区(空穴)区和N（电子）区都会引起本征激发而产生电子－空穴对，N区的光生空穴和P区的光生电子会向结区扩散，只要在载流子寿命时间内到达结区，强大的内建电场就会把P区的光生电子拉向N区，把N区的光生空穴拉向P区，因而导致在N区边界有光生电子积累，在P区边界有光生空穴积累，产生一个与内建电场相反的光生电场，使原来的势垒高度降低，相当于在PN结上加上一个正向电压V，这就是光生电动势。 与外电路相连，就有电流流过，PN结起电池作用。 短路光电流 ISC ：短路时由内电场分开的非平衡载流子沿外电