09第2章基本放大电路--场效应管放大电路.pptVIP

北航五研 北航五研 北航五研 模拟电子技术基础 北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院 主讲 ：赵建辉 第二章 基本放大电路(5.场效应管放大电路分析) 2.1 放大电路的概念及性能指标 2.2 基本共射放大电路工作原理 2.3 放大电路分析方法 2.4 放大电路工作点的稳定 2.5 三种基本晶体管放大电路 2.6 晶体管派生放大电路 2.7 场效应管放大电路 第2章 基本放大电路 本节课内容 2.3 放大电路的分析方法 重点：场效应管放大电路分析。 难点：1.FET工作原理与特性曲线 1.FET等效电路 2.动态分析 3.对比分析(与BJT比较) 重点难点 问题的提出: 1.FET基本电路 （直流Q点设置:标准电路） 2.如何定量分析对比? （分析方法:FET 等效模型） 3.有何不同?(与BJT比较理解) （分析内容:与BJT对比分析A,Ri,Ro） 2.7. FET放大电路分析 复习 N沟道 P沟道 增强型 (BJT类似) 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 P沟道 (a)转移特性；(b)输出特性 增强型 (b)输出特性 场效