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_______________ 称本征半导体。 杂质半导体分________型半导体和_______型半导体，前者中多数载流子是__________，少数载流子是_______，后者中多数载流子是________，少数载流子是___________。 本征硅中若掺入5价元素的元素，则多数载流子应是___________，掺杂越多，则其数量一定越__________，相反，少数载流子应是___________，掺杂越多， 则其数量一定越__________。 P区侧应带______，N曲一侧应带______。空间电荷区内的电场称为________，其方向从_____指向_______。 在PN结两侧外加直流电压，正端与P区相连，负端与N区相连，这种接法称之为PN结的________偏置。 半导体三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似，而输出特性曲线可以划分为三个工作区域，它们是________区、________区和________区。 温度变化对半导体三极管的参数有影响，当温度升高时，半导体三极管的β值________，ICBO值________，UBE值________。 半导体三极管能够放大信号，除了内部结构和工艺特点满足要求外，还必须具备的外部工作条件是________。 工作在放大区的某晶体管，当IB从20微安增大到40微安时，Ic从2毫安变为4毫安，它的β值约为___