2014电力电子1—器件精选.pptVIP

电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——驱动电路的隔离 驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离 ?光隔离一般采用光耦合器 ??磁隔离的元件通常是脉冲变压器 光耦合器的类型及接法 a 普通型 b 高速型 c 高传输比型 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——电流型和电压型驱动 电流驱动型和电压驱动型 具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用 专用集成驱动电路 双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——电压型驱动 2. 电压驱动型器件的驱动电路 栅源间、栅射间有数千皮法的电容，为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取 -5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗 在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTR的集成驱动电路 ★ EXB356：150A/600V；IBP +3A/-3.4A、 IIN 3~9mA EXB356 富士 · 日 UAA4002 汤姆逊 · 法 M57950 三菱 · 日 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTR的限制 驱动电流大 二次击穿 开关速度低 2.1.3 功率场效应管 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——FET的分类 ★ 因工艺和结构差异名称不同。如： Motorola TMOS NEC VDMOS Siemens SiPMOS 结 型 JFET MOS型 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 Power MOSFET 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——FET的分类 小功率MOS管是横向导电器件 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为 VMOSFET（Vertical MOSFET）——大大提高了 MOSFET器件的耐压和耐电流能力 按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂 直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MO 结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET） 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——MOSFET的结构特点 ★ 胞元并联结RDS小， 可达mΩ。 ★ 垂直导电VD，面积 大，电流大； ★ 沟道短D-S间U、R、 C均小； 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——MOSFET的结构特点 导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管 导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别 电力MOSFET的多元集成结构 国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元 西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元 摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——MOSFET的静态特性 ★ 安全工作区SOA 跨导 开启电压 ★ 转移特性 SOA—Safe Operation Area ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——MOSFET的输出特性 饱和区 调阻区 雪崩击穿区 ★ 输出特性 截止区（对应于GTR的截止区） 饱和区（对应于GTR的放大区） 非饱和区（对应于GTR的饱和区） 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——MOSFET的动态特性 t1—开通延时 t2—上升时间 t3—关断延时 t4—下降时间 ts—开通时间 （ n s 级） tc—关断时间 （n s 级） Rs、Cin决定 开关速度 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——MOSFET的开关速度 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系 使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度 MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——MOSFET的参