高端精密设备仪器分析-退火、薄膜、电镀设备用途及市场分析.pptVIP

金属有机化学气相沉积MOCVD 又称金属有机气相外延 (MOVPE)，它是利用有机金属热分解进行气相外延生长的先进技术，目前主要用于化合物半导体薄膜气相生长上。 MOCVD法原理 MOCVD方法是利用运载气携带金属有机物的蒸气进入反应室，受热分解后沉积到加热的衬底上形成薄膜。它是制备铁电薄膜的一种湿法工艺。 MOCVD设备 有机金属化学气相沉积 MOCVD系统的组件可大致分为：反应腔、气体控制及混合系统、反应源及废气处理系统。 MOCVD法的特点 此法的主要优点是： 1)较低的衬底温度； 2)较高的生长速率； 3)精确的组分控制； 4)易获得大面积均匀薄膜； 5)可在非平面底上生长、可直接制备图案器件、易于规模化和商业化。 3、电镀 定义1：电镀一层更厚的薄膜 定义2：用电镀的方式起到集成 电路的互连作用 什么是集成电路互连技术 所谓的集成电路互连技术，就是将同一芯片内各个独立的元器件通过一定的方式，连接成具有一定功能的电路模块的技术。 集成电路对互连金属材料的要求 具有较小的电阻率 易于沉积和刻蚀 具有良好的抗电迁移特性 电迁移现象 电迁移现象是集成电路制造中需要努力解决的一个问题。特别是当集成度增加，互连线条变窄时，这个问题更为突出。 * 高端精密设备仪器分析---退火、薄膜、电镀设备用途及市场分析 产业链 集成电路工艺分几大块技术： 图形转移：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 光 刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻等 刻 蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺 杂：将适量的各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体 管、接触等 离子注入 退 火 扩 散 制 膜：制作各种材料的薄膜 C V D、P V D 氧 化：干氧氧化、湿氧氧化等 电 镀 目 录 1、退火 2、薄膜 3、电镀 4、市场基本情况 1、退火 为什么要退火？ 退火设备工作原理 高能粒子撞击硅片表面，造成晶格损伤，因此为了消除离子注入造成的损伤和激活注入的杂质离子，离子注入后必须要进行热退火。最常用的是在950℃高温炉中在氮气保护下，退火15～ 30分钟。热退火后对杂质分布将产生影响。 定义、作用、常用的方法 定义： 退火也叫热处理，集成电路工艺中 所有的在氮气等不活泼气氛中进行 的热处理过程都可以称为退火 退火工艺的作用： a、激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到杂质的作用 b、消除损伤 退火工序的常用方式： a、炉退火 b、快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等) 退火炉及快速热退火原理 退火设备相关企业 SSFL300/200-11-03-ANL退火炉 用途：用于集成电路芯片制造过程中的退火工艺 特点：先进的温控系统 产量高 占地面积小 颗粒控制好 生产厂家：北京七星华创电子股份有限公司 用户：无锡华进半导体封装先导技术研发中心 2、薄膜 薄膜工艺 基本上，集成电路就是由数层材质不同的薄膜组成，而使这些薄膜覆盖在硅片上的技术就是通常所说的薄膜沉积和薄膜的成长技术。 经过数十年的发展，薄膜的沉积技术由早期的蒸镀开始至今，已经发展成为几个主要的方向：PVD/CVD/ALD。 薄膜的定义、制备工艺 什么是薄膜 薄膜的几种定义 薄膜的特点 薄膜的制备工艺 物理气相沉积 化学气相沉积 金属有机化学气相沉积 溶胶凝胶法 电沉积 定义① 由单个的原子、离子、原子团无规则地入射到基板表面，经表面附着、迁徙、凝结、成核、核生长等过程而形成的一薄层固态物质。 Vacuum Substrate Atom Thin Film 薄膜的几种定义 上平面：空气 固体膜、液体膜 下平面：固体表面、液体表面、空气 定义② 夹在两个平行平面间的薄层。 定义③ 采用特定的制备方法在基板表面上生长得到的一薄层固态物质 。 ●薄膜：由物理气相沉积(PVD)、 化学气相沉积(CVD)、 溶液镀膜法等薄膜技