电子技术03场效应管要点.ppt

Ｎ沟道：衬底接最低电位， iD为电子电流， vDS 0，vGS正向增加，iD增加； Ｐ沟道：衬底接最高电位，iD为空穴电流， vDS 0，vGS负向增加，iD增加。 二者的大信号和小信号等效模型相同； 目前，MOS器件一般采用BSIM3V3模型描述，适用于计算机仿真，该模型已成为一种工业标准。 * * 第 三 章 场 效 应 管 场效应管有: 结型场效应管JFET 金属-氧化物-半导体型场效应管MOSFET 3.1 MOS场效应管 MOS场效应管分： 增强型EMOS ，又分N管和P管 耗尽型DMOS，又分N管和P管 电路符号： P 沟道耗尽型 P 沟道增强型 N 沟道增强型 N沟道耗尽型 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上覆盖一层金属铝作为栅极G 目前多采用多晶硅 。P型半导体称为衬底，用符号B表示。 3.1.1 EMOS场效应管结构 通常情况下，源极一般都与衬底极相连；正常工作时，作为源、漏区的两个N+区与衬底之间的PN结必须外加反偏电压。 一、截止区与沟道形成 VGS th : 开启电压，是开始形成反型层所需的vGS值。SiO2绝缘层越薄，两个N+区的掺杂浓度越高，衬底掺