数电课件第三章 门电路6.ppt

1.输入特性 (1) 输入短路电流IIS（也叫输入低电平电流IIL） 当VIL = 0.3V时 IIS或IIL 3.4.3 TTL反相器静态输入特性和输出特性 (2) 输入漏电流IIH（高电平输入电流） T1倒置状态B 0.01以下，高电平输入电流也很小。74系列40μA以下 IIH 2. 输出特性 74系列最大负载电流不超过0.4mA。 (1)高电平输出特性 T4射极输出，输出电阻很小。负载电流变化对VOH影响小。 IOH 负载电流增大，R4压降增大，使T4饱和。 VOH随电流增大线性下降。 (2)低电平输出特性 T5管饱和导通，c-e间内阻很小，基本呈线性。 IOL 3.扇出系数N 1 N=0.4mA / 40uA=10 G1 G2 G3 N 0 N=16mA / 1mA=16 G1 G2 G3 N 4. 输入端负载特性 R＝1K Ri>1K，输入为1 Ri<1K，输入为0 特别注意：TTL输入端悬空相当于1 ? 平均传输延迟时间tpd 导通延迟时间tPHL：输入波形上升沿的50%幅值处到输出波形下降沿50% 幅值处所需要的时间， 截止延迟时间tPLH：从输入波形下降沿50% 幅值处到输出波形上升沿50% 幅值处所需要的时间， 平均传输延迟时间tpd： 通常tPLH＞tPHL，tpd越小，电路的开关速度越高。 一般tpd = 10ns～40ns 输入信号VI 输出信号V0 ? 交流噪声容限 ? 电源的动态尖峰电流 *3.4.4 TTL反相器动态特性 三态逻辑门（TS门） 集电极开路TTL“与非”门（OC门） 与非门、或非门、与或非门 3.4.5 其他类型的TTL门电路 一、TTL与非门 多发射极晶体管T1实现了输入变量A、B、C的与运算 TTL与非门工作原理 ? 输入端至少有一个接低电平 0 .2V 3 .6V 3 .6V 0.9V 3 .6V T1管:A端发射结导通，Vb1 = VA + Vbe1 = 0.9V，其它发射结均因反偏而截止. ? 5-0.7-0.7=3.6V Vb1=0.9V,所以T2、T5截止, VC2≈Vcc=5V, T4：导通状态。 电路输出高电平为： 5V T1管深饱和 ? 输入端全为高电平 3 .6V 3 .6V 2.1V 0 .3V T1:Vb1= Vbc1+Vbe2+Vbe5 = 0.7V×3 = 2.1V 输出为VOL = 0.3V 3 .6V 处于倒置放大状态 T2：饱和状态 T4：Vc2=Vces2+Vbe5≈1V，使T4截止。 T5：深饱和状态 TTL与非门工作原理 TTL或非门工作原理 ? 输入端全为低电平，输出才为高电平 ? 输入端有一个为高电平，输出就为低电平 TTL与或非门工作原理 返回 二、集电极开路TTL“与非”门（OC门） 1 0 当将两个TTL“与非”门输出端直接并联时： Vcc→R4→门1的T4→门2的T5产生一个很大的电流 产生一个大电流 1、抬高门2输出低电平，会因功耗过大损坏门器件 2、输出的高电平固定，不能满足负载要求 注：普通TTL门输出端不能直接并联 ? 集电极开路与非门（OC门） RL VCC2 输出逻辑电平： 低电平0.3V 高电平为VCC2（5-30V） RL VCC2 A B 　F ? 当输入端全为高电平，T2、T5导通，输出为低电平； 输入端有一个为低电平时，T2、T5截止，输出F高电平接近电源电压VCC。 A B F 相当于“与门” A B Y1 C D Y2 RL VCC Y =(AB+CD) ' 负载电阻最大值? 负载电阻最小值 m个负载门的输入端数目 m’个负载门的数目 VOH VOL 返回 1、结构 三、三态逻辑门（TS） — 控制端 D E 2、工作原理 0 1 截止 (1) 控制端 =0时的工作情况： E' D E 1 0 导通 截止 截止 高阻态 (2) 控制端 =1时的工作情况 D E E' 符号 三态门的符号及功能表 使能端高电平 起作用 使能端低电平 起作用 A B F 符号 A B F (EN)' 功能表 (EN)' = 0 (EN)' = 1 F = (AB)' 功能表 F = (AB)' (2). 双向传输 总线 4、三态门的应用 (1). 三态门广泛用于数据总线结构 如：TTL门电路芯片（四2输入与非门，型号74LS00 ) 地GND TTL门电路芯片简介 外形 & & & 14 13 12 11 10 9 8 1 2 3 4 5 6 7 & 管脚 电源VCC（+5V） * 半导体集成电路型号命名方法 国家标准对半导体集成电路的命名如下: C T 54S20 E D 第一部分：用字母表示器件类型。T：TTL，H：HTL，E：ECL，C：CM