第二章集成逻辑门探究.pptVIP

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本章重点与难点: 重点:本章介绍的是常用集成门电路,重点有两个:一是逻辑功能,二是电气特性。 难点:常用门电路的电气特性,尤其是输入、输出特性。 二、二极管的动态特性 二、二极管的动态特性 反向恢复时间一般在纳秒数量级。 三、BJT的开关特性 1. BJT的开关作用 三、BJT的开关特性 1. BJT的开关作用 2. NPN 型 BJT 截止、放大、饱和三种工作状态的特点 3. BJT的开关时间 2.3 分立元件门电路 2.3.1 二极管与门电路 2.3.1 二极管与门电路 2.3.1 二极管与门电路 2.3.1 二极管与门电路 2.3.2 二极管或门电路 2.4 TTL门电路 2.4.2 TTL反相器 4. 采用推拉式输出级以提高开关速度和带负载能力 当输出为低电平时,T3处于深度饱和状态,T4截止, T3的集电极电流可以全部用来驱动负载。 2.4.4 TTL与非门 1.电路组成 如图所示,它由输入级、中间级和输出级三部分组成。 1 输入级。 输入级由多发射极管T1和电阻R1组成。其作用是对 输入变量A、B、C实现逻辑与,从逻辑功能上看,图 (a)所示的多发射极三极管可以等效为图(b)所示 的形式。 2 中间级。 中间级由T2、 R2和R3组成。T2的集电极和发射极输出两个相位相反的信号,作为T3和T5的驱动信号。 3 输出级。 输出级由T3、T4、T5和R4、R5组成,这种电路形式称为推拉式电路。 2. 工作原理 1 输入全部为高电平。当输入A、 B、 C均为高电平,即UIH 3.6 V时,T1的基极电位足以使T1的集电结和T2、T5的发射结导通。而T2的集电极压降可以使T3导通, 但它不能使T4导通。T5由T2提供足够的基极电流而处于饱和状态。因此输出为低电平: UO UOL UCE5≈0.3 V A B C 1时TTL与非门各点电压    2 输入至少有一个为低电平。当输入至少有一(A端)为低电平,即UIL 0.3V时,T1与A端连接的发射结正向导通,从图中可知,T1集电极电位UC1使T2、T5均截止,而T2的集电极电压足以使T3,T4导通。因此输出为高电平: UO UOH≈UCC-UBE3-UBE4 5-0.7-0.7 3.6 V 2.6 CMOS逻辑门电路 2.6.0 复习MOS管的有关知识 2.6.0 复习MOS管的有关知识 2.6.1 CMOS反相器 2.6.2 CMOS 门电路 2.7 NMOS逻辑门电路 2.7 NMOS逻辑门电路 2.7 NMOS逻辑门电路 2.7 NMOS逻辑门电路 2.8 正负逻辑问题 V DD T P T N v O v I 当vI VOH VDD时 1. CMOS反相器的工作原理 VGSN VDD VTN TN管导通; |VGSP| 0 VTP TP管截止。 此时,VDD主要降在TP管上,输出为低电平VOL : 2. CMOS反相器的特点 V DD T P + v SGP v O v I + – – T N i D 因而CMOS反相器的静态功耗极小(微瓦数量级)。 T1和T2只有一个是工作的, 1、与非门 二输入“与非”门电路结构如图 每个输入端与一 个 NMOS管和一个PMOS管的栅极相连 当A和B为高电平时: 1 两个并联的PMOS管T3、T4 两个串联的NMOS T1、T2 通 通 止 止 0 1 0 1 通 止 通 1 止 当A和B有一个或一个以上为低电平时: 电路输出高电平 输出低电平 ? 电路实现“与非”逻辑功能 2. 或非门电路 T P1 B A T P2 T N1 V DD L 1 当A、B全为低电平时 2.6.2 CMOS 门电路 0 0 输出为高电平时 2. 或非门电路 当输入端A、B都为高电平时, 当A、B全为低电平时, 2.6.2 CMOS 门电路 当A、B中有一个为高电平时 T P1 B A T P2 T N1 V DD L 0 1 1 输出为高电平 输出为低电平 输出必为低电平 3. 异或门电路 V DD B A L A ? B X 由或非门和与或非门组成 同或门? 2.4.4 CMOS传输门 1. CMOS传输门电路 TG 是一种传输信号的可控开关,截止电阻 107Ω,导通电阻 几百Ω,所以是一个理想的开关。 结构对称,其漏极和源极可互换,它们的开启电压|VT| 2V 。 它广泛地用于采样?保持电路、 斩波电路、模数和数模转换电路等。 由互补

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