2-冷却、形核与凝固.pptVIP

* 2.3 过冷与形核 形核衬底的形状。 当接触角 (?)不变， 在凹面、 平面和凸面 种表面形状的基底中，界面为凹面时临界晶核的体积最小，形核功也最小。 因此，当形核基底表面凹凸不平， 存在大量凹角时形核效率将提高。 * 2.3 过冷与形核 * 2.4 晶核长大 在熔点温度以下， 晶核尺寸超过临界尺寸，即完成形核过程 液相中， 原子撞击到晶体表面，晶体表面的原子也脱离晶体表面。前者总数超过后者总数时，晶体的稳定长大。 从微观上看：晶体长大过程是单个或多个原子撞击到晶体表面， 并按照晶面原子排列要求与晶体连接的过程。 从宏观上看：晶体长大的过程是晶体界面向液相中的推移 * 2.4 晶核长大 长大的条件 液相不断的向晶体供应原子 晶体界面能不断牢固的接纳原子 如果原子供应能保证，则晶体界面接纳原子的条件就决定了晶体长大的方式和线速度 * 2.4 晶核长大 影响晶体长大的主要因素包括： 内在条件： 晶体结构性质 晶体界面结构 晶体界面曲率 外在条件： 界面的温度分布 潜热释放速度 界面前沿浓度分布 * 2.4 晶核长大 固液界面结构 根据液相原子在界面上沉积方式的不同， 可将界面划分为粗糙表面和光滑表面。 粗糙表面：指从原子尺度衡量， 界面坎坷不平， 并能充分接纳液相中的沉积原子与晶体连接的界面。 光滑表面： 指从原子尺度衡量， 界面光滑平整， 仅能依靠界面台阶侧面接纳液相中的沉积原子与晶体连接的界面。 * 2.4 晶核长大 杰克逊 （Jackson） 用统计物理方法提出了区分两种界面的判据— “Jackson因子?” ， 其定义为： 式中： e—固相内部原子的结合键能； k—玻耳兹曼常数； Tm—合金的凝固温度； N1—界面原子在凝固界面层内的近邻数； N—固相内部原子的近邻数。 当?2时， 凝固界面表现为粗糙界面； 当?5时， 凝固界面表现为光滑界面。 * 2.4 晶核长大 固液界面生长方式及生长速率 随着界面结构的不同， 晶体生长的方式包括： 连续生长 侧向生长 缺陷生长 不同的生长方式决定了不同的生长速率和晶体形状 * 2.4 晶核长大 连续生长—粗糙界面的生长 其界面结构为粗糙界面， 这种界面结构能够等效接纳从液相中沉积来的原子。如沉积原子供应充分， 长大过程可连续不断进行。 连续生长的特点为： 生长的驱动力过冷度很小，?T=(0.01~0.05)*k 生长速度快，Rc=?1* ?T * 2.4 晶核长大 侧向生长—光滑界面的生长 其界面结构为光滑界面，长大是通过原子台阶侧面的扩展，横向界面进行的。台阶的来源是界面上的二维晶核。 二维生核可通过不同途径进行 一种是液相中先形成的较大原子团簇，其原子的排列方向与界面相同，并同时落到界面上，但这种途径发生的概率较小，速度较慢 另一种是单个原子先各自落到界面上，达到一定尺寸后形成原子团簇， 稳定地成为二维晶核。 上述两种途径要求较大的过冷度， 过冷度大则生核速度加快。 生长速度较慢 * 2.4 晶核长大 如图所示。A为台阶的高度，约为一个原子的距离。从液相沉积的原子，沉积在台阶的边缘，依靠台阶向其侧面（与界面平行方向）扩展而进行。 * 2.4 晶核长大 缺陷生长—光滑界面的生长 晶体生长中产生的缺陷与晶体结构有关。其中， 对晶体生长过程有较大影响的缺陷是： 螺型位错 孪晶 * 2.4 晶核长大 螺型位错生长 螺型位错的形成， 使界面上出现了生长台阶， 台阶绕位错线旋转。台阶每旋转一周，界面长出一个原子层。螺型位错的台阶在晶体生长过程中不会消失， 可以保证界面沿螺型位错线连续生长。螺型位错生长的特点是生长速度较二维生核速度快， 较连续生长速度慢。螺型位错生长的生长速度与过冷度关系为： * 2.4 晶核长大 位错： 晶体内一种缺陷，缺陷区是细长的管状区，该区域内原子排列是混乱的，破坏了金属原子点阵的周期性，造成金属实际强度远远低于理论强度。晶体滑移时晶体各部分作为刚体而相对滑动，连接滑移面的两边原子结合健同时断裂，形成位错缺陷。属于线缺陷。 孪晶 是两个晶体或一个晶体的两部分沿一个公共晶面构成镜面对称的位向关系，这两个晶体称为孪晶，公共晶面称为孪晶面。属于面缺陷。 * 2.4 晶核长大 晶体的形貌 按照上述理论，晶粒形核和长大时，各方向上的界面能够以不同的方式和速度向液相中扩展， 外在条件复杂，形成的晶粒外形也是多种多样 决定因素： 结晶物质的内在特性 结晶过程中固液界面附近的温度场 * 2.4 晶核长大 具有平滑固液界面的物质： 非金属、金属间化合物 一般以原子密度最大的晶面为外表面，即晶面晶体 无其它干扰时，一般都成长为外表面规则的晶体 如图 * 2.4 晶核长大 具有平滑固液界面的物质： 但是，如果有其他因素，表面出现非密集面，就会在棱角处优先传