尼曼半导体物理与器件第十二章详解.pptVIP

* * * * * 各种不同的带电载流子的流动，定义了各种特殊的电流。 根据一些因素，用这些定义来计算电路增益。 * 前面理想情况下讨论的是均匀掺杂、小注入、发射区和基区宽度恒定、禁带宽度为定值、电流密度为均匀值、所有的结都在非击穿区的晶体管。 * VBE增加，可能出现注入的少子浓度接近或大于多子浓度，多子浓度将会增加。 * 第十二章 双极晶体管 第十二章 双极晶体管 * （2）其他工作模式 （a）截止：B-E结，B-C结均反偏，空间电荷区边界少子浓度均为零。 （b）饱和：B-E结，B-C结均正偏，空间电荷区边界存在过剩少子。 * 反向有源区：B-E结反偏，B-C结正偏。 与正向有源区中的发射极、集电极电流反向。 由于B、E区相对掺杂浓度和B、C区相对掺杂浓度不同，非几何对称，两者的特性大不相同。 第十二章 双极晶体管 * 12.3 低频共基极电流增益 npn型晶体管，正向有源区，粒子流密度和粒子流成分 从发射区注入到基区中的电子流 到达集电区的电子流 从基区注入发射区的空穴流 正偏B-E结空间电荷区复合电子流 反偏B-C结空间电荷区产生空穴流 B-C结的反向饱和电流 基区复合时需要补充的空穴流 第十二章 双极晶体管 * 流入基区补充因复合而消失 的空穴流 发射区x′=0处少子空穴扩散电流 正偏B-E结中载流子复合电流 基区x=0处少子电子扩散电流 基区x=xB处少子电子扩散电流 反偏B-C结中产生电流 反偏B-C结饱和电流 第十二章 双极晶体管 * 小信号或是正弦信号的共基极电流增益 发射极注入效率系数 基区输运系数 复合系数 考虑了发射区中的少子空穴扩散电流对电流增益的影响。 考虑了基区中过剩少子电子的复合的影响。 考虑了正偏B-E结中的复合的影响。 第十二章 双极晶体管 第十二章 双极晶体管 * 12.4 非理想效应 （1）基区宽度调制效应（厄尔利效应） B-C结反偏电压增加 B-C结空间电荷区宽度增加 基区扩散区宽度减小 少子浓度梯度增加 集电极电流增加 第十二章 双极晶体管 * IC受VBE控制，因此两者有一对应关系 理想情况下，Ic与VBC无关（上图中曲线斜率为零） 由于存在基区宽度调制效应，上图中曲线倾斜 厄尔利电压（|VA|），描述晶体管特性一共有参数 制造误差引起窄基区晶体管xB变化，导致IC变化 第十二章 双极晶体管 * （2）大注入效应 大注入晶体管发生两种效应 发射极注入效率会降低 基区过剩少子浓度和集电极电流随B-E结电压增大的速度变缓 发射极注入效率系数 左图为小注入和大注入时，基区中少子和多子浓度 实线为小注入，虚线为大注入 B 第十二章 双极晶体管 * 小电流时增益较小：复合系数较小 大电流时增益下降：大注入效应的影响 第十二章 双极晶体管 * 基区过剩少子浓度和集电极电流随B-E结电压增大的速度变缓 小注入基区空间电荷区边界处 则 大注入np(0)、pp(0)基本处于同一量级 同pn结二极管中的串联电阻效应近似 第十二章 双极晶体管 * （3）发射区禁带变窄 发射区掺杂很高时，由于禁带变窄效应，使电流增益比预期小。 发射区掺杂浓度对基区掺杂浓度比值增加，发射极注入效率会增加并接近于1。 第十二章 双极晶体管 * （4）电流集边效应 基区宽度很小（典型值1微米） 基区电阻相当大 导致发射区下存在横向电势差 相对于中心，较多电子从边缘注入 发射极电流集中在边缘 第十二章 双极晶体管 * （6）击穿电压 两种击穿机制： 穿通 随着反偏B-C结电压的增加，B-C空间电荷区宽度扩展进中性基区中，B-C结耗尽区穿透基区到达B-E结。 雪崩击穿 第十二章 双极晶体管 * 12.5 等效电路模型 （1）E-M模型：适用于任何模式 E-M模型中定义的电流方向、电压极性 基本E-M模型等效电路 第十二章 双极晶体管 * （2）G-P模型 与E-M模型相比，考虑了更多的物理特性，可用于分析基区为非均匀掺杂的情况。 （3）H-P模型 小信号，线性放大电路，正向有源区 H-P等效电路 第十二章 双极晶体管 * 12.6 频率上限 （1）延时因子 双极晶体管是一种时间渡越器件 发射区到集电区的总时间常数可由4个相互独立的时间常数组成 （2）晶体管截止频率 电流增益是频率的函数 α 截止频率fα：共基极电流增益幅值变为其低频值的0.707时的频率 截止频率fT：共发射极电流增益的幅值为1时的频率 β截止频率fβ：共发射极电流增益幅值下降到其低频值的0.707时的频率 第十二章 双极晶体管 * 12.7 大信号开关 （1）开关特性 （a）研究晶体管开关特性所用的电路 （b）驱动晶体管的基极输入 （c）晶体管工作状态转换过程中集电极电流随时间的变化 轻微正偏延迟时间 B-C反偏，下降时间 上升时间 存储时间 第十二章 双极