太阳能电池材料讲解.pptVIP

双叠层结构有两种：一种是两层结构使用相同的非晶硅材料；另一种是上层使用非晶硅合金，下层使用非晶硅锗合金以增加对长波光的吸收，三叠层与双叠层类似。上层电池使用宽能隙的非晶硅合金做本征层，吸收蓝光光子，％的中等带隙的非晶硅锗合金以吸收红光。中间层用含锗约15玻璃衬底的非晶硅太阳电池，光从玻璃面入射，电流从透明导电膜和电极铝引出。不锈钢衬底非晶硅电池同单晶硅c—si电池类似，在透明导电膜上制备梳状银电极，电池电流从银电极和不锈钢引出。 非晶硅太阳电池的应用 非晶硅电池厂房 非晶硅电池板 3.4.2 非晶硅太阳电池的制备工艺 非晶硅是由气相沉积法制备的，气相沉积法可分为辉光放电分解法、溅射法、真空蒸发法、光化学气相沉积(Photo CVD)和热丝法等。等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)已经普遍被应用，在PECVD沉积非晶硅的方法中，PECVD的原料气一般采用SiH4和H2，制备叠层电池时用Sil 和GeH ，加入SiH4和 GeH4 可同时实现掺杂。SiH4和 GeH4 在低温等离子体的作用下分解产生a—Si或a—SiGe薄膜。PECVD法具有许多优点，如低温工艺和大面积薄膜的生产等，适合于大面积生产。 制备工艺 把硅烷(SiH4)等原料气体导入真空度保持在10-1000Pa的反应室中，由于射频(RF)电场的作用,产生辉光放电，原料气体被分解，在玻璃或者不锈钢等衬底上形成非晶硅薄膜材料。此时如果原料气体中混入硅烷(B2H6)即能生成P型非晶硅,混入磷烷(PH3)即能生成N型非晶硅。仅仅用变换原料气体的方法就可生成pin结，做成电池。为了得到重复性好、性能良好的太阳电池，避免反应室内壁和电极上残存的杂质掺入到电池中，一般都利用隔离的连续等离子反应制造装置，即p,i,n各层分别在专用的反应室内沉积。下图为非晶硅太阳能电池制备方法示意图。 非晶硅太阳能电池制备方法示意图 3 太阳能电池材料 3.1 硅系列太阳电池 硅系列太阳能电池中，单晶硅大阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。 3.1.1 硅片加工技术 常规的硅片切割采用内圆切片机，其刀损为0.3-0.35mm，使晶体硅切割损失较大，且大硅片不易切得很薄。近几年，多线切割机的使用对晶体硅片的成本下降具有明显作用。多线切割机采用钢丝带动碳化硅磨料来进行切割硅片，切损只有0.22mm，硅片可切薄到0.2mm，且切割的损伤小。 我国太阳能光伏发电技术产业化及市场发展经过近20年的努力，已经奠定良好的基础。目前有4个单晶硅电池及组件生产厂和2个非晶硅电池生产厂。但在总体水平由于生产规模、技术水平较低、太阳电池的效率低，专用原材料国产化程度不高。专用材料如银浆、封装玻璃、EVA等尚未完全实现国产化，成本高。 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350～450μm的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。此外，液相外延法（LPPE）和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜。因此，再结晶技术无疑是很重要的一个环节，目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。 3.1.2 单晶硅太阳电池材料 单晶硅太阳能电池是当前开发 得最快的一种太阳能电池，产品已 广泛用于空间和地面。以高纯的单 晶硅棒为原料，纯度要求99.999% 以上，其结构和生产工艺已经定型， 单晶硅太阳能电池转换效率最高， 但对硅的纯度要求高，而且复杂工 单晶硅太阳能电池板 艺和材料价格等因素致使成本较高。单晶硅材料 制造要经过如下过程：石英砂一冶金级硅一提纯 和精炼一沉积多晶硅锭一单晶硅一硅片切割。 3.1.2.1.单晶硅太阳电池制作工艺 将单晶硅棒切成片，一般片厚约0.3毫米。硅片经过抛磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。加工太阳能电池片，首先要在硅片上掺杂和扩散，一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散