模拟电子_作业第14章_20100510计科93班.docVIP

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模拟电子_作业第14章_20100510计科93班

计科093班电工学作业14A计算题:如下图所示的各个电路中,试问晶体管工作在何种状态? A B C14A解答:答案:设UBE=0.6V. 计算见下表: A管 B管 C管 IC(sat)=UCC/RC 12mA 8mA I’B= IC(sat)/a 0.24mA 0.2mA IB (6-0.6)/50mA=0.11mA (12-0.6)/47mA=0.24mA IB0 状态 IBI’B放大 IBI’B饱和 截止 14A计算题出处:秦曾煌编:电工学(第六版)下册P30第九行。14B简单题:为什么杂质半导体的导电性能比本征半导体的导电性能好?14B解答:答案:半导体中存在着自由电子和空穴两种载流子.本征半导体是指纯净的,不含杂质且以晶体结构存在的半导体.本征半导体中存在着数量或浓度相等的自由电子和空穴.由于通常情况下本征半导体中的载流子数量不够多,它的导电能力较差. 在本征半导体中掺入少量的杂质就形成了杂质半导体,而它当中存在着两种载流子的运动,即多子的扩散运动和少子的漂移运动,因而杂质半导体的导电能力比本征半导体的导电能力要强很多.14B简答题出处:何一鸣编电子技术基础教程P29第18行. 成绩:10分 14A填充题:利用PN结的______电容随外加电压变化的特性可制成变容二极管,它工作是需要加______偏压。14A解答:PN结中电容由势垒电容和扩散电容组成,正偏时以扩散电容为主,随正向电流增加而增加;反偏时以势垒电容为主,随反向电压的增加而减小。由于PN结正向偏置的低阻特性,扩散电容的应用相对困难。应用PN结电容效应多采用其反偏电容即势垒电容,故两个孔分别为:势垒,反向14A填空题出处:于枫编著《名师大课堂》 科学出版社 14B:在0≤t≤10ms时间内,绘出图(a)所示电路的输出电压u0(t)波形。(1)设二极管是理想的;(2)试用恒压降模型。14B解答:先将D断开,并设于D阳极相连的点的电位为u’i(t),则有 u’i(t)=50/(200+50) ui(t)=0.2 ui(t) 28.5V设二极管是理想的。 当u’i(t)=0.2 ui(t)5V,即ui(t)<25V时,D截止,u0(t)= 0.2 ui(t)。 当u’i(t)≥5V,即ui(t)≥25V时,D导通,u0(t)=5V。波形如图(c)所示。 (2)恒压降等效电路如图(d) 当u’i(t) 5.7V,即ui(t)<28.5V时,D截止,u0(t)= 0.2 ui(t)。 当u’i(t)≥5.7V,即ui(t)≥28.5V,D导通,u0(t)= 5.7V。如图(e) 14B计算题出处:于枫编著《名师大课堂》 科学出版社 成绩:10分 14A 问答题:N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?14A答案:不论是N型半导体还是P型半导体,虽然它们都有一种载流子占多数,但是整个晶体仍然是不带电的。14A问答题出处:秦曾煌主编,电工学下册14B 计算题:电路如图P1.11所示,晶体管的?=50,|UBE|=0.2V,饱和管压降|UCES|=0.1V;稳压管的稳定电压UZ=5V,正向导通电压UD=0.5V。试问:当U1=0时U0= ?当U1=—5V时U0=?14B解答:当U1=0时,晶体管截止,稳压管击穿,U0=-UZ=-5V。 当U1=-5时,晶体管饱和,U0=0.1V。因为 |IB|=480UA |IC|=24MA。 UCEVCC 14B 计算题:模拟电子电路基础 成绩:10分

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