半导体第二讲2技巧.pptVIP

2. 反向偏压 在 P-N 结的ｐ型区接电源负极, 叫反向偏压。 阻挡层势垒增大、变宽，不利于空穴向 N区运动，也不利于电子向 P区运动,没有正向电流。 p型 n型 I 但是，由于少数载流子的存在，会形成很弱的反向电流， 当外电场很强,反向电压超过某一数值后， 反向电流会急剧增大----反向击穿。 称为漏电流 （?A级）。 击穿电压 V(伏) I -１０ -２０ -３０ （微安） 反向 -20 -30 * 半导体材料与集成电路基础 半导体材料物理基础 半导体是电导率介于导体和绝缘体之间的一类用途很广的电气和电子材料 室温下半导体的电导率为104—10-4(?·cm)-1，在绝对零度时，纯半导体晶体变成绝缘体。 半导体的特性受到热扰动、光辐射、电磁场、杂质和晶体缺陷的影响，会产生热电效应、光电效应、霍尔效应、磁阻效应、压电效应、场致效应等 半导体材料可分为元素半导体，如Si，Ge，化合物半导体，如GaHs，InP等，固溶体半导体、有机半导体等； 从导电机理来看，主要分为本征半导体和杂质半导体。 半导体器件的工作原理是电子在半导体材料中的运动，并通过器件结构和材料的设计有目的地控制电子的流动方向及大小 能带理论 能带的形成过程 当孤立的原子结合在一起形成固体时，相邻的原子之间会产生各种交互作用，原子之间的排斥力和吸引力最后在一定的原子间距达到平衡． 当二个相同原子孤立存在肘，各自的电子波函数没有相互作用，因而二个原子可以有完全相同的电子能级结构． 当二个原子相互接近时，电子波函数便开始重迭．根据量子力学的pauli不相容原理，在一个系统中，不允许有二个电子具有相同的量子状态，因而孤立原子的能级必然产生分裂，这些新产生的分裂能级不再是某个原于所独有，而是属于一对原子。 在固体中，大量原子结合在一起，相互极为接近的大量分裂能级最终成为一个连续的能带。 二. 能带 (energy band) 量子力学计算表明，晶体中若有N个 原子，由于各原子间的相互作用，对应于 原来孤立原子的每一个能级,在晶体中变 成了N条靠得很近的能级,称为能带。 晶体中的电子能级 有什么特点？ 能带的宽度记作?E ，数量级为 ?E～eV。 若N~1023,则能带中两能级的间距约10-23eV。 一般规律： 1. 越是外层电子，能带越宽，?E越大。 2. 点阵间距越小，能带越宽，?E越大。 3. 两个能带有可能重叠。 离子间距 a 2P 2S 1S E 0 能带重叠示意图 金属、半导体和绝缘体 电流的产生要求电子能够在电场的作用下加速移动至新的能量状态，在电子现有能量状态附近必须有空能级．举例来说，如果一个能带中只有很少几个电子，而有大半的能态是空的，则电子很容易在能带中由这个能态运动到另一个能态，从而发生电荷的迁移，产生导电行为。 金刚石结构中0K时“价带”已被全部占据，导带是全空的，因而价带中的电子于无法进行电荷运输，因为价带中没有空能级。导带中虽有空能级但无电子，因而也不可能进行电荷运输．金刚石结构就具有很高的电阻，因而是典型的绝缘体。 半导体的电子能带结构与绝缘体相仿，但其禁带宽比绝缘体小得多．例如Si为1.1eV，而金刚石为5eV。这一较小的禁带宽度使价带中的电子能较容易地在热或光的作用下激发到高能带即导带中而起导电作用． 金属的能带结构又不同，能带或是重叠，或是半填满。固而在一个能带内总是既有电子又有空能态，电子在电场作用下便能自曲地运动，从而导致很高的导电性 导体和绝缘体 （conductor ．insulator） 它们的导电性能不同， 是因为它们的能带结构不同。 晶体按导电性能的高低可以分为 导体 半导体 绝缘体 导体 导体 导体 半导体 绝缘体 ?Eg ?Eg ?Eg 半导体中的载流子 金属的导电机构较为简单，金属原子可以看作是处于自由电子所组成的“海洋”中，这些自由电子在电场的作用下可以自由运动，从而起导电作用 半导体在0K时半导体的价带是全满的，而导带是全空的，则当温度升高时半导体的导电是依靠热激活将价带的电子跃迁至导带． 这种激活过程带来了二个可能的导电机构：一是导带中的激发电子可以作为导电的载流子，二是价带中电子激发后留下空能态，亦可为导电作出贡献． 半导体中引入杂质亦会改变半导体的能带结构从而提供额外的载流子。这就给半导体电学性质的控制提供了较大的灵活性 本征电子和空穴 导体的温度由0K上升时，某些价带的电子受热激活的作用而跃迁到导带，从而从原来空的导带中有了电子而在原来满的价带中有了一些空的能态 价带中的空能态一般称为“空穴”。由价带中的电子跃迁到导带中而产生的电子和空穴合称为电子—空穴对 导带中的电子由于周围有大量的空能态，因而能在导带中白山运动而起导电作用。价带