模拟电子技术基础选择题学案.doc

模拟电子技术基础选择题 2.1.1·在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 2.1.2·在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。 A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对 2.1.3半导体中的载流子为_________。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴 2.1.4.N型半导体中的多子是_________。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 2.1.5.P型半导体中的多子是_________。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 2.2.1·当PN结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等与 2.2.2·当PN结外加反向电压时，扩散电流_________漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 3.2.11在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的 相位_________。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 3.2.12·在单级共基放大电路中，