第9讲场效应管及基本放大电路改.pptVIP

u GS O i D U P I DSS i D O U T u GS u GS O I DSS i D U P u DS O u G S ＝0 V i D －2 V u G S ＝ U P ＝－4 V ＋2 V －i D －5 V u G S ＝ U T ＝－3 V O － u DS －4 V u G S ＝ －6 V － i D －2 V u G S ＝ U P ＝＋4 V O － u DS ＋2 V u G S ＝ 0 V G S D + － i D B + － G S D + － i D － + B G S D + － i D B － + 耗尽型 N MOS 增强型 P MOS 耗尽型 P MOS 图5.1.11（续） 5.1.3 场效应管的主要参数 （P137） 1．直流参数 1 夹断电压UGS off 3 饱和漏极电流 2 开启电压UGS th 4 直流输入电阻RGS ——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有SiO2绝缘层，输入电阻可达109～1015 Ω 。 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约为106 ～109 Ω。 5.1.3 场效应管的主要参数 （续） 2．交流参数 1 跨导gm 也称为互导。其定义为 2 极间电容 栅源电容Cgs 栅漏电容Cgd 漏源电容Cds gm的计算 当管子工作在放大区时 得管子的跨导 由 可见，gm与IDQ有关。IDQ越大，gm也就越大。 同理，对于增强型FET，有 5.1.3 场效应管的主要参数 （续） 3. 极限参数 漏极最大允许耗散功率 PDSM uDSiD 该值受管子最高工作温度的限制。 2 最大漏极电流IDM 管子正常工作时漏极电流允许的上限值。 3 栅源击穿电压U（BR）GS 是指栅源间反向电流开始急剧上升时的UGS值。 漏源击穿电压U（BR）DS 是指发生雪崩击穿、iD开始急剧上升时的UDS值。 5.1.4 FET的特点及使用注意事项 2、使用注意事项 1 外加电压极性： N沟道 ：UDS 为+； UGS ：增强型及结型+ ，耗尽型 - 。 P 沟道相反 结构对称者，漏极和源极可以互换。 2 MOS管一定要注意防感应电压击穿（任何时候注意避免栅极开路）。 1、特点 压控型器件，Ri特大，偏置灵活，多子导电，温度稳定性好，抗辐射，功耗小，可大规模集成。 课外练习 PP.150~151 5.1, 5.2 （直接做在书本上，不交） END * 与晶体管类比，自学场效应管的主要参数。 第 九 讲 第五章教学要求 重点与难点 1、了解场效应管（FET）的结构及工作原理，掌握其外特性，在实际应用中正确选择FET的参数； 2、掌握FET基本放大电路的静态工作点的设置，掌握共源和共漏基本放大电路的等效电路分析法； 3、掌握FET与BJT放大电路各自的特点及其应用场合； 4、了解FET放大电路的频率响应。 重点：FET的外特性，静态工作点的设置，共源和共漏放大电路的基本分析方法，FET基本放大电路的特点及其应用。 难点： 绝缘栅型场效应管的工作原理，频率响应。 本次课教学要求 1、了解结型场效应管（JFET）的结构及工作原理； 2、了解绝缘栅型场效应管（IGFET）的结构及工作原理； 3、掌握FET的外特性及参数，在实际应用中正确选择FET； 4、了解FET和BJT各自的特点。 第5章 场效应管及其放大电路 5.1 场效应管（FET） 5.2 场效应管基本放大电路 5.1 场效应管（FET） 5.1.1 结型场效应管 5.1.2 绝缘栅型场效应管 5.1.3 场效应管的主要参数 5.1.4 FET与BJT的比较 BJT靠iB控制iC,发射结正偏，当有Vi时必伴随ib，在某些场合（如测某两点的开路电压）导致较大误差，其原因是BJT的输入电阻低。 场效应管的特点： （1）用电（场）压效应来控制电流的单极性器件。 （2）输入阻抗高（109～1015 Ω） 。 （3）噪声低（栅流约为0）。 场效应管的分类 5.1.1 结型场效应管（JFET） 结构及符号 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d）。 导电沟道 源极 栅极 漏极 符号 结构示意图 N沟道 P沟道 JFET结构演示 1、结型场效应管的工作原理 （1）栅-源电压对导电沟道的影响 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ UGS（off） 1、结型场效应管的工作原理（续） （2）漏-源电压对导电沟道的影响 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒