晶闸管的基本特性题库.ppt

1.3.2 晶闸管的基本特性 1. 静态特性━ 晶闸管的 伏安特性 1.3.2晶闸管的基本特性（静态、动态、） 1.3.2 晶闸管的基本特性 1) 正向特性(第I象限) ? 正向阻断状态 IG=0时，晶闸管两端受正向电压→只有很小的正向漏电流流过. 1.3.2 晶闸管的基本特性 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 1.3.2 晶闸管的基本特性 2) 反向特性(第III象限) 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.2 晶闸管的基本特性 2. 动态特性 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.2 晶闸管的基本特性 2) 关断过程 ① 反向阻断恢复时间trr (1).保证可靠触发的门极电流、电压应位于可靠触发区 (2).保证晶闸管可靠关断的门极电流、电压应位于不 触发区或加反偏电压 (3).晶闸管正偏电压一般不大于10 v,反偏电压不大于5v。 1.3.3晶闸管的主要参数 晶闸管承受此电压时不自动开通也不反向击穿。 晶闸管额定电压的选择应为实际承受电压的2~3倍。 所留裕量用于防止电路中可能出现的操作过电压 管子额定电流的选择： (1) 按电流有效值相等的原则选择晶闸管 (2) 留裕量，取1.5-2倍后取整 (3) 额定电流等级： 50A以下-1、5、10、20、30、40、50A； 100~1000A- 100、200、300、 400、500、600、800、1000A。 从减小损耗和发热的情况出发，ＵＴ（ＡＶ）越小越好， 一般为1.5v。 普通晶闸管ton约6us, 快速晶闸管ton约1us。 普通晶闸管toff数十～数百us, 快速晶闸管toff约10us 开通较关断时间短 工频电路可不考虑开关时间 （２）断态电压临界上升率dv/dt及通态电流临界上 升率di/dt 由于结电容效应， dv/dt太大可能引起误导通 dv/dt分级：Ａ(最低级)：２５v/us G(最高级)： 1000v/us di/dt太大将导致器件局部过热损坏 7 额定结温Ｔjm 例:KP200-8B 表示额定电流200A/额定电压 800V/管压降0.4v~0.5v的普通晶闸管 晶闸管的派生器件 1. 双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC或Bidirectional triode thyristor） 晶闸管的派生器件 2. 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor—LTT） 1 型号KP-100-3 （ ITav=100A,额定电压300V）的晶闸管，维持电流IH=4mA,使用在以下电路中是否合适(通过计算确定)？ * * 图1-8 晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG 1. 静态特性 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 晶闸管的伏安特性 IG2 IG1 IG 正向电压超过临界极限━正向转折电压Ubo →则漏电流急剧增大→器件开通。 ? 正向导通 导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。IH称为维持电流。 ? 维持电流IH 晶闸管的伏安特性 晶闸管受反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。 晶闸管处于反向阻断状态时→极小的反相漏电流流过。 当反向电压超过一定限度(达到反向击穿电压), 外电路如无限制措施→则反向漏电流急剧增加→导致晶闸管发热损坏。 ? 反向阻断 ? 反向击穿 晶闸管的开通和关断过程波形 晶闸管的开通和关断过程波形 1) 开通过程 ① 延迟时间td ② 上升时间tr trr tgr td tr 门极电流阶跃时刻开始,到阳极电流上升到稳态值的10%的时间。 阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。 c) 开通时间tgt tgt=td+ tr （1-6） 普通晶闸管延迟时为0.5~1.5?s，上升时间为0.5~3?s。 trr tgr td tr 晶闸管的开通和关断过程波形 ② 正向阻断恢复时间tgr 正向电流降为零到反向恢复电流衰减至接近于零的时间 晶闸管要恢复其对正向电压的阻断能力所需要的一段时间 trr tgr trr tgr ? 实际应用中，应对晶闸管施加足够长时间的反向电压，使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力，电路才能可靠工作。