第四章习题介绍.pptVIP

第四章 习题 1.假设把一个Na原子从Na晶体中移到表面上所需的能量为1eV，计算室温时肖特基缺 陷的相对浓度。 解：对于肖特基缺陷，在单原子晶体中空位数为 式中N为原子数， 为将一个原子由晶体内的格点移到表面所需的能量，取室温为 T=300K，得到室温时肖特基缺陷的相对浓度为 2.对于铜，形成一个肖特基缺陷的能量为1.2eV，而形成一个填隙原子所需能量 约为4eV，估算接近1300K（铜的熔点）时，两种缺陷的浓度。 解：形成空位和填隙原子的数目分别为 则单位体积铜中空位和填隙原子的浓度分别为 m为摩尔质量 ρ为质量密度 将参数 代入C1和C2得 3.在离子晶体中，由于电中性的要求，肖特基缺陷都成对出现，令n代表正负离子 空位的对数，E是形成一对肖特基缺陷所需要的能量，N为整个离子晶体中正负离子 对的数目，证明 证明：由N个正离子中取出n个正离子形成n个空位的可能方式数为 同样，由N个负离子中取出n个负离子形成n个空位的可能方式数为 因此，在晶体中形成n对正、负离子空位的可能方式数为 与无空位时相比，晶体熵的增量为 若不考虑空位的出现对离子振动的影响，晶体的自由能 其中F0是只与晶体体积有关的自由能。利用平衡条件及斯特林公式 由此得 由于 故 4、 有一简单晶格的晶体，原子在间隙位置上的能量比在格点上高出1eV，试求 有千分之一的原子变成间隙原子时的温度。 解：设间隙位置数、格点数及原子数相等，为N。则在N个格点中形成n个空位的方式数为 则n个填隙原子在N个间隙位置上排列的可能方式数为 因此同时形成n个空位和n个填隙原子的可能方式数为 由此导致的晶体熵的增量为 晶体的自由能 其中F0是只与晶体体积有关的自由能，u 表示原子位于间隙位置比在正常格点 位置高出的能量。 利用平衡条件及斯特林公式 由此得 由于 由此得