第四章--光电子技术详解.pptVIP

（1）T=0K的情况 能量最大的电子处在费米能级上，即E= EF 吸收光子能量hv，从表面逸出的光电子具有的动能： （2）T0 K的情况 能量分布如图曲线2 ▲部分自由电子的能量比费米能级EF高出δE，由于这些电子的存在，在相同入射光子能量条件下，会出现初始速度大于vmax的光电子 ▲在最大动能与入射光频率曲 线上看，会出现在v＜vo时仍然 存在光电效应，如下图所示 （B）半导体材料的光电子发射 目前光电阴极多采用半导体材料，其优点是： （1）对辐射吸收系数大 （2）导电性能适中，电子向表面运动时损失能量小 （3）价带中电子密度很大，容易受激发跃迁 （4）逸出功较小 杂质发射：光电子来源于杂质能级的发射，相应的材料叫杂质 发射体， 缺点：杂质浓度一般不超过1%，杂质发射的量子效率较低 为1%左右 典型材料：“银氧铯（Ag-O-Cs）” （2）光电子向表面运动： 半导体中的自由电子浓度很小，电子散射所造成的能量损失可以忽略不计。电子能量损失的主要是：晶格散射和与价带电子的碰撞，而晶格散射造成的能量损失非常的小。 在以晶格散射为主的半导体中，对于某些吸收系数大于106/cm的半导体，它的逸出深度比较大，所产生的光电子几乎全部都以足够的能量逸出。 半导体的表面势垒情况 ●本征半导体： 杂质半导体：其光电子发射中心在杂质能级上 （C）典型实用光电阴极材料 (2) 单碱光电阴极--锑铯（Sb-Cs）光阴极 本征型半导体材料，1936年开始使用。 制作：面板上蒸纯Sb膜，引入Cs进行热处理; 主要性能：光谱响应范围 可见+紫外; 长波限波长：700nm附近; 峰值波长：300-500nm，依赖于窗材料; 量子效率：最高可达30%; 工作方式：反射或透射; 灵敏度：积分灵敏度可达70-150uA/lm; 该材料目前被广泛用作光电阴极材料，同时也可用作光电倍增管的倍增极，工作电压为400V，倍增系数可达10。 （3）多碱光阴极 当锑与一种以上碱金属结合可获得更好的光阴极材料 双碱：（Sb-K-Cs）(Sb-Rb-Cs)（ Sb-K-Na ） 三碱：（Sb-K-Na-Cs），夜视技术背景下发展起来 四碱：（Sb-K-Na-Rb-Cs） 主要性能： 量子效率：在可见波段又很高的量子效率25%左右; 工作方式：透射 光谱响应：可到红外。 4.2 光电倍增管(PMT) A、光电倍增管特点： （1）较高的内增益，二次电子发射增益因子可 达107。 （2）对单个光子能量灵敏，应用于光辐射较 弱，响应率要求较高的场合，特别是在高 精度、远距离的激光测距中广泛使用。 （3）光谱范围为可见+近红外（1.06um）. B、光电倍增管工作原理：二次电子发射 光电倍增管的放大倍数： （1）计算阴极电流 设Φ为入射到光阴极的光通量，IK为阴极电流 （光阴极发射到D1上的电流），那么有： (2) 计算阳极电流 设阳极电流为Ia，Sa为阳极灵敏度，定义为阳极输出的光电流Ia与标准A光源入射于光电阴极的光通量之比，单位为A/lm。那么阳极电流为： 通常在实际工程计算中，电流放大倍数可以近似为： （4） 估算倍增系数δ δ与倍增极材料有关，也与倍增极的极间电压VD（伏特）有关，对于Sb-Cs阴极，δ可以近似为 作业3 1、设光电倍增管有10个倍增极，每个倍增极的二次电子发射系数均为4，阴极灵敏度为20uA/lm，阳极电流不超过100uA时，试估算入射于阴极的光通量上限； 2、设光电倍增管的阴极灵敏度为20uA/lm，倍增极倍增系数为3，当入射光通量为7.5x10-5lm时，阳极输出电流为150uA。计算带宽为1Hz时的输出噪声电流和等效噪声功率。 C、光电倍增管的几种结构 （1）电子光学输入系统（光电阴极到第一个倍增极 之间的系统） （2）倍增极结构 ①聚焦型：直列式结构和圆形鼠笼式结构 聚焦形光电倍增管的缺点：每对倍增极的工作状态与邻近倍增极的电压有关，所以对供电电源的稳定性要求很高。 ②非聚焦型 非聚焦型 优点：（1）倍增极的效率较高，在低的极间电压下 能给出高的倍增系数。（2）每对倍增极的 工作状态基本上与邻近的倍增极电压无关。 D、光电倍增管的基本特性 一、伏-安特性 （1）阴极伏-安特性：当入射照度E 一定时，阴极发射电流IK与阴极和倍增极之间的电压VK的关系。 （2）阳极伏-安特性：当入射照度