程系2010 —211学年度第一学期期末考试《 电子技术基础.docVIP

黄淮学院信息工程系2010 —2011学年度第一学期期末考试《 电子技术基础（模拟部分）》B卷 注意事项：本试卷适用于2009 级电子信息工程专业本科学生使用 题号 一 二 三 四 合计 核分人 得分 得分 评卷人 单选题（每题1分，共30分）。每题只有一个正确答案，把每题的正确答案的序号填入答题卡内。 单选题答题卡： 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 答案 得分 题号 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 答案 得分 1、半导体中空穴导电的原理是（ ）。 A电子的接力运动。B空穴在电场力作用下定向移动。C空穴的接力运动。D杂质粒子在电场力作用下定向移动。 2、P型半导体是在本征半导体内掺入少量的（ ）元素而获得的杂质半导体。 A二价元素。B三价元素。C四元素。D五元素。 3、模拟信号是指（ ）的信号。 A时间和数值都连续。B数值连续。C时间数值离散。D时间连续。 4、放大电路的电压放大倍数是指（ ）。 A输出电流与输出入电压之比。B输出电压与输出入电流之比。C输出电流与输出入电流之比。D输出电压与输出入电压之比。 5、某电路电压增益为60dB，该电路的电压放大倍数为（ ）倍。 A10。 B100。 C1000。 D10000。 6、放大电路的非线性失真是由（ ）引起的。 A信号本身失真。B放大器件的非线性失真。C电抗元件。 D电阻。 7、N型半导体是在本征半导体内掺入少量的（ ）元素而获得的杂质半导体。 A二价元素。B三价元素。C四元素。D五元素。 8、Si 二极管正向导通时常工作电压约为（ ）伏。 A 0.7, B 0.5 ,C 0.4，D 0.2。 9、晶体管工作在放大区时外部电压条件为（ ）。 A发射结正偏置集电结反偏置。B发射结反偏置集电结正偏置。C发射结正偏置集电结正偏置。D发射结反偏置集电结反偏置。 10、Si 二极管正向导通时死区电压约为（ ）伏。 A 0.7, B 0.5 ,C 0.4，D 0.2。 11、小功率晶体三极管的输入电阻约为（ ）欧姆。 A 2KΩ左右。B 100Ω左右。C 1000Ω左右。D 2.5KΩ左右。 12、BJT的电流分配关系为（ ）。 A IE IC-IB 。 B IB IC-IE。 C IC IB-IE 。 D IE IC+IB。 13、晶体三极管共射极放大倍数的实质是（ ）。 A把微弱电流进行放大。B以小电流空制大电流。C以强电流空制弱电流。D以弱电流空制高电压， 14、fH称为放大电路的（ ）。 A截止频率。B下限止频率。C上限频率。D通频带。 15、BJT称为（ ）。 A双极型三极管。B单晶型晶体三极管。C绝缘栅型晶体管。D杂质型晶体。 16、双电源互补对称功率放大电路，由于静态工作点为0，所以产生（ ）。 A非线性失真。B频率失真。C线性失真。D交越失真。 17、乙类双电源功率放大电路实际是由（ ）组成的。 A两个不同极性的三极管构成的共发射极电路组成的。 B两个不同极性的三极管构成的共基极电路组成的。 C两个不同极性的三极管构成的共集电极电路组成的。 D两个同极性的三极管构成的共集电极电路组成的。 18、正弦波振荡器起振的幅度条件是（ ）。 A AF I。 B AF 1。 C 1+AF 1。 D 1+AF 1。 19、电压串联负反馈可以使放大电路的（ ）。 A输入电阻减小输出电阻增大。B输入电阻增大输出电阻增大。C输入电阻减小输出电阻减小。D输入电阻增大输出电阻减小。 20、二极管的正向电阻比反向电阻（ ）。 A相等。B大。C 小。D较小。 21、工作在放大区的某三极管，当其IB从而20uA增大到来40uA时IC从2mA增大到3mA，它的β约为（ ）。 A 10。B 100。 C 50。 D 150。 22、三点式正弦波振荡器振荡的相位条件为（ ）。 A射反基同。B射反基反。 C射同基同。D射同基反。 23、某放大电路在负载开路时输出电压为6V，当接入场2KΩ负载电阻后，输出电压降为4V，该电路的输出电阻为（ ）。 A 1KΩ。B 2KΩ。 C 10KΩ。 D 1.5KΩ。 24、直流负反馈是指（ ）。 A只存在于RC耦合电路中的负反馈。B放大直流信号时才有的负反馈。 C只存在于耦合电路中的负反馈。D存在于直流通路中的负反馈。 25、负反馈能抑制的干扰噪声是（ ）。 A输入信号所包含的干扰噪声。B反馈环内的干扰噪声。C反馈环外的干扰噪声。D输出信号所包含的干扰噪声。 26、串联负反馈只有在信号源内阻较（ ）时反馈效果才显著。 A 大。B很大。C较大。D小。 27、电流串联负反馈对放大电路的影响为（ ）。 A 输入电阻曾大输出电